最近のエピタキシャル膜の成長が概観されている。現在映画映画の成長に使用されている基本的な古典的方法が議論され、その長所と短所が探究されている。 Si上にエピタキシャル膜を合成する新しい方法の基本的な考え方と理論的背景が示されている。この新しい方法は、原子の基板表面への蒸発が利用される従来の薄膜成長技術とは大きく異なることが示されるであろう。

この新しい方法は、シリコンマトリックス中のいくつかの原子を炭素原子で置換して分子を形成することに基づいている 炭化ケイ素 。シリコンマトリックスの結晶構造を破壊することなく徐々に核生成の次のプロセスが起こり、成長した膜の配向はシリコンマトリックスの元の結晶構造によって課されることが示される（フィルム成長の従来の方法）。新しい方法と他のエピタキシー技術との比較を行う。

原子の置換に基づく固相エピタキシーの新しい方法および拡張双極子の作成は、ヘテロエピタキシーにおける主要な問題の1つを解決する。追加のバッファ層を使用せずに、膜の格子パラメータと基板との間の大きな差を有する低欠陥の無歪みエピタキシャル膜の合成を提供する。この方法は、それをicフィルムの成長の古典的な技法と区別する別の独特な特徴を有しており、六角形のポリタイプの膜を成長させることができる。ある物質が別の物質に化学的に変換されることによる、固体中の新しい種類の相変態が理論的に記述され、実験的に明らかにされる。

このタイプの相変態、および気体と固相間の広範な種類の不均一化学反応のメカニズムを、 sicエピタキシャル層 Coガスと単結晶シリコンマトリックスとの化学的相互作用に起因する。このメカニズムの発見は、新しいタイプのテンプレート、すなわち、シリコン上のワイドギャップ半導体成長のためのバッファー遷移層を有する基板をもたらす。固相エピタキシーによってsic / si基板上に成長させたワイドギャップ半導体（sic、aln、ganおよびalgan）の様々なヘテロエピタキシャル膜の特性が報告される。成長した膜は亀裂を含まず、マイクロおよび光電子デバイスを製造するのに十分な品質を有する。また、Si基板上の大きな（直径150mmの）欠陥の少ないsic膜の合成における新しい能力が実証されるであろう。

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