2020-03-17
2020-03-09
ハイライト
サファイアとシリコンウェーハの除去に及ぼす原子ステップ幅の影響が研究されている。
・除去幅とモデルに及ぼすステップ幅の影響の理由について考察する。
•平滑な表面を得るための六方晶ウェーハのcmp除去モデルを提案する。
・欠陥に対する原子ステップモフォロジーの変動が分析される。
欠陥の形成機構について議論する。
absrtact
サファイアとシリコンウェーハに向かって、afmを介して表面全体に明確で規則的な原子ステップモフォロジが観察された。しかし、原子ステップ幅およびステップ方向の変動は、異なるウエハ表面全体で異なり、サファイアウエハ上のものは均一であり、ウエハ上のものは異なる。原子ステップ幅が除去速度に及ぼす影響について検討した。原子間超平滑面を実現する超硬ウェーハの除去モデルを提案する。サファイア及びシリコンウェハ表面上の異なる欠陥への原子ステップモフォロジーの変化が分析され、形成メカニズムが議論される。
キーワード
化学機械研磨（cmp）。サファイア;炭化ケイ素（sic）;原子ステップ
ソース：sciencedirect
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： www.powerwaywafer.com 、私たちに電子メールを送ってください sales@powerwaywafer.com 。
連絡先
+86-592-5601 404