2020-03-17
2020-03-09
ホットウォールエピタキシーによって GaAs(0 0 1) 基板上に成長させた InAsxSb1-x エピ層の構造的および電気的特性を調べた。エピ層は、ＩｎＡｓＳｂ傾斜層およびＩｎＳｂバッファ層上に成長させた。InAsxSb1-x エピ層のヒ素組成 (x) は、X 線回折を使用して計算され、0.5 であることがわかりました。傾斜層は、2 および 0.5 °C min−1 の As 温度勾配で成長しました。ＩｎＡｓＳｂとＧａＡｓとの間の大きな格子不整合による三次元（３Ｄ）島の成長が、走査型電子顕微鏡によって観察された。InAsSbグレーデッド層の厚さとしておよびInSbバッファ層が増加すると、3Dアイランド成長から2次元プラトー状成長への移行が観察されます。X 線ロッキング カーブ測定値は、傾斜層とバッファー層を使用することによって、エピ層の半値全幅が減少したことを示しています。ホール効果測定により、成長した層の電子移動度の劇的な向上が観察されました。
出典:IOPサイエンス
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