我々は、n +またはp +ガーゼエピ層のウェーハを、以下のように、n +またはp +

no1仕様：p + GaAs基板上に浅い層を有する2インチのp +ガウスエピ。

構造（下から上へ）：

層0：350μmのp +半導体のガリウム基板、e18のドーピング、任意のドーパントの種類

層1：300nmp +半導体ガリウムバッファ層、\u003e e18ドーピング濃度、任意のドーパントタイプ

層2：10nmは未ドープ（Al2層はas4 [テトラマー]ではなくas2 [二量体]を用いて成長させなければならない）

層3：2μmp+半導体エピ層、e18ドーピング濃度、任意のドーパントタイプ

no2仕様：n + ga基板上に浅層を有する2インチn +ガースエピ。

構造（下から上へ）：

層0：350μmn +半導体ガリウム基板、e18ドーピングによるSiドーピング

層1：300nmのn +半導体ガリウムバッファ層、e18ドーピング濃度を有するsi-ドーピング

層2：10nmは未ドープ（Al2層はas4 [テトラマー]ではなくas2 [二量体]を用いて成長させなければならない）

層3：2μmのn +半導体エピ層、e18ドーピング濃度を有するSi-ドーピング

no.3仕様：2インチガウス - アラス2バリア構造：

1層：コンタクト、ガス、キャリア濃度10e18cm-3,100nm

2層：スペーサー、ガース、アンドープ、10nm

3層：バリア、アラス、アンドープ、2,3nm

4層：量子井戸、ガウス、アンドープ、4,5nm

5層：バリア、浅い、ドープされていない、2nm

6層：スペーサ、ガース、アンドープ、40nm

7層：コンタクト、ガス、キャリア濃度10e18cm -3、500nm

no.4スペック：20nmのドーピングされていないガウス/ 10nmはガースs.i.基板（ドラムなし、セラムなし、メモリチップなし - ウェーハのみ）。

ガー/アラス超格子における熱伝導率の異方性

我々は、過渡熱グレーティングと時間領域熱反射率法を組み合わせて、同じウェーハからのガウス/アラス超格子の異方性熱伝導率を特徴づける。過渡格子技術は面内熱伝導率にのみ敏感であり、時間領域熱反射率は面内方向の熱伝導率に敏感であり、薄い領域での異方性熱伝導の特徴付けに関連する課題に対処する強力な組み合わせとなっているフィルム。ガウス/アラス超格子の実験結果を第一原理計算と以前のSi / Ge測定値と比較する。測定された異方性は、界面散乱の質量不一致画像と界面混合を含む密度汎関数摂動理論からの計算結果とに一致して、Si / Ge slsのそれよりも小さい。

ソース：semiconductorwafers.net

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