2020-03-17
2020-03-09
q：現在、ガウスウェーハを必要とするプロジェクトに取り組んでいます。理想的な構造は次のようになります。
（上）gaas_n_type / barrier / quantum well / barrier / gaas_p_type / scarified layer / gaas基板（下）。リフトオフプロセスによってリード構造体を別の基板に転写する必要があり、n型からp型ガードまでの全体の構造体厚さは約500nmでなければならない。 私たちの要求を満たすものがあるかどうかアドバイスできますか？
a：お問い合わせいただきありがとうございます。私たちの顧客の一部はリフトオフプロセスのために私たちの構造を購入しています、以下の構造を見てください
led / irシリーズ用ガウスエピウェハ
赤色（620 +/- 5nm）2インチガウス・ウェーハ
p-ギャップ
P-algainp
mqw-algainp
n-algainp
dbr n-algaas / alas
バッファ
ガウス基板
連絡先
+86-592-5601 404