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inp(311)b基板上に成長した1550 nm帯マルチスタックqd-soaの利得特性およびフェムト秒光パルス応答

2017-09-22

本論文では、inp(311)b基板上に歪み補償技術を用いて成長させた155nm帯のマルチスタック量子井戸を実証し、その応用のための基本利得特性とフェムト秒光パルス応答を評価した超高速オール・ロジック・ロジック・ゲート・デバイスデバイス長は1650μmであり、500maの注入電流で最大利得35dbが得られた。持続時間を変化させることによってqd-soaに2つの直列フェムト秒複製パルスを入力し、出力自己相関波形を観測した。その結果、実効的なキャリア遷移時間は約1psと推定された。


キーワード

qd-soa; 1550nm帯; inp(311)b;フェムト秒光パルス応答


ソース:sciencedirect


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