フリースタンディングガーン基質

pam-xiamenは、uhb-ledとldのためのフリースタンディング（窒化ガリウム）基板ウェーハ用の製造技術を確立しました。水素化物気相エピタキシー（hvpe）技術によって成長させると、我々のgan基板は欠陥密度が低い。

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製品詳細

フリースタンディングガーン基質

パム・シャーマンは、 フリースタンディング（窒化ガリウム）基板 ウェーハはuhb-ledおよびld用です。水素化物気相エピタキシー（hvpe）技術によって成長させた我々のgan基板は、欠陥密度が低く、マクロ欠陥密度が少ないかまたはフリーである。

仕様 フリースタンディングガーン基質

ここに詳細仕様を示します：

2 " 自立型（窒化ガリウム）基板

項目	pam-fs-gan50-n	pam-fs-gan50-si

導電型	n型	半絶縁性
サイズ	2インチ（50.8）±1mm
厚さ	300 +/- 50um
オリエンテーション	c軸（0001）+/- 0.5^o
一次フラットロケーション	（1-100）+/- 0.5^o
一次フラット長さ	16±1mm
二次平面ロケーション	（11-20）+/- 3^o
二次平面長さ	8±1mm
抵抗率（300k）	u003c0.5Ω・cm	＆gt; 10⁶ Ω・cm
転位密度	u003c5x10⁶ cm-2
マルコ欠陥密度	グレード≦2cm^-2 b グレードu003e 2cm^-2
テレビ	≦15μm
弓	≦20um
表面仕上げ	表面：ra u003c0.2nm.epi-ready 磨かれた

裏面：1.グラインドグラウンド

使用可能領域≧90％

1.5 " 自立型ガン基板

項目	pam-fs-gan38-n	pam-fs-gan38-si

導電型	n型	半絶縁性
サイズ	1.5 "（38.1）+/- 0.5mm
厚さ	260 +/- 20um
オリエンテーション	c軸（0001）+/- 0.5^o
一次フラットロケーション	（1-100）+/- 0.5^o
一次フラット長さ	12±1mm
二次平面ロケーション	（11-20）+/- 3^o
二次平面長さ	6±1mm
抵抗率（300k）	u003c0.5Ω・cm	＆gt; 10⁶ Ω・cm
転位密度	u003c5x10⁶ cm-2
マルコ欠陥密度	グレード≦2cm^-2 b グレードu003e 2cm^-2
テレビ	≦15μm
弓	≦20um
表面仕上げ	フロント表面：ra u003c0.2nmエピタキシャル研磨

裏面：1.グラインドグラウンド

使用可能領域≧90％

15mm、10mm、5mm 自立型ガン基板

項目	pam-fs-gan15-n pam-fs-gan10-n pam-fs-gan5-n	pam-fs-gan15-si pam-fs-gan10-si pam-fs-gan5-si

導電型	n型	半絶縁性
サイズ	14.0mm * 15mm 10.0mm * 10.5mm 5.0 * 5.5mm
厚さ	230±20um、 280 +/- 20um
オリエンテーション	c軸（0001）+/- 0.5^o
一次フラットロケーション	＆emsp;
一次フラット長さ	＆emsp;
二次平面ロケーション	＆emsp;
二次平面長さ	＆emsp;
抵抗率（300k）	u003c0.5Ω・cm	＆gt; 10⁶ Ω・cm
転位密度	u003c5x10⁶ cm-2
マルコ欠陥密度	0cm^-2
テレビ	≦15μm
弓	≦20um
表面仕上げ	フロント表面：ra u003c0.2nmエピタキシャル研磨

裏面：1.グラインドグラウンド

使用可能領域≧90％

注意：

バリデーションウェーハ ：使用の利便性を考慮して、2インチサイズのサファイア検証用ウェーハを提供するパーム・シャイア フリースタンディングガーン基質

ガン基板の塗布

固体照明：ganデバイスは、超高輝度発光ダイオード（led）、テレビ、自動車、一般照明として使用されています

DVDストレージ：青色レーザーダイオード

電力装置：携帯電話基地局、衛星、電力増幅器、電気自動車（EV）およびハイブリッド電気自動車（hev）のためのインバータ/コンバータのような高出力および高周波電力エレクトロニクスの様々な構成要素として使用される。 ganの電離放射線（他のIII族窒化物と同様）に対する感度が低いため、衛星用の太陽電池アレイや、通信、天気、監視衛星用の高出力、高周波デバイスなどの宇宙用途に適しています

iii-窒化物の再成長に理想的

無線基地局：rfパワートランジスタ

無線ブロードバンドアクセス：高周波mmics、rf回路mmics

圧力センサー：mems

熱センサ：熱電検出器

パワーコンディショニング：混合信号/積分

自動車エレクトロニクス：高温エレクトロニクス

送電線：高電圧電子機器

フレームセンサー：UV検出器

太陽電池：ガンのワイドバンドギャップは、太陽スペクトルを0.65EVから3.4EVまで（実質的に太陽スペクトル全体である）カバーし、インジウムガリウムナイトライド

（インガン）合金で、太陽電池材料の製造に最適です。この利点のために、ガー基板上に成長されたインガン太陽電池は、ガー基板ウェハにとって最も重要な新しい用途および成長市場の1つになるであろう。

ヘムツ、飼い物に理想的

ganショットキーダイオードプロジェクト：私たちは、hvpe成長した、独立したn型およびp型の窒化ガリウム（gan）層上に製造されたショットキーダイオードのカスタム仕様を受け入れます。

両方の接点（オーミックおよびショットキ）を、Al / TiおよびPd / Ti / Auを用いて上面に堆積させた。

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