2020-03-17
2020-03-09
アモノサーマル法と Na フラックス法によるGaN 基板の進歩と水素化物気相エピタキシー (HVPE) 技術について簡単に説明した後、ガス流変調 HVPE による GaN 厚層成長の研究結果を紹介します。サファイア基板からの効率的な自己分離プロセス、および複数のウェーハ成長の均一性の変更が提示されます。自立基板上の GaN ホモエピタキシャル成長に対する表面形態と欠陥挙動の影響についても説明し、続いて GaN 基板上の LED の進歩と固体照明への応用の見通しについて説明します。
出典:IOPサイエンス
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