2020-03-17
2020-03-09
低エネルギーイオンビーム堆積システムの設計および特性が議論される。このシステムでは、100eVのエネルギーを有する金属イオンが4〜5μa/ cm 2の電流密度で基板上に堆積される。ゲルマニウム単結晶膜は、 ゲルマニウム （111）およびシリコン（111）基板上に、300℃以上の基板温度で、 200°C未満の堆積の場合、膜は非晶質であり、300°Cを超えるアニールによって再結晶化することが見出される。 500eVを超えるイオンエネルギーが使用される場合、基板のスパッタリングが支配的であり、Ge +イオンおよびシリコン基板の組合せについての堆積は観察されない。結果は、低エネルギーイオンビーム堆積によって薄膜を成長させる実現可能性を実証した。
soource：iopscience
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