2020-03-17
2020-03-09
高濃度ドープp-3C–SiC層は、真空中での昇華エピタキシーによって、良好な結晶完成度で成長しました。フォトルミネッセンス スペクトルとキャリア濃度の温度依存性の分析は、少なくとも 2 種類のアクセプター センターが ~ E V + 0.25 eV と E V + 0.06 ～ 0.07 eV に存在することを示しています。この種の層は、3C–SiC デバイスの p エミッターとして使用できるという結論に達しました。
出典:IOPサイエンス
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