xiamen powerway advanced material co。、ltd（pam-xiamen）は、高度に精製されたゾーン精製された多結晶インゴットから改良されたチョクラルスキー法によって成長した直径3インチまでのインクリスタルウェーハを提供しています。

1）2 \"insb

配向：（100）

タイプ/ドーパント：n /アンドープ

直径：50.8mm

厚さ：300±25μm;500μm

nc：\u003c2e14a / cm3

ポリッシュ：ssp

2）2 \"insb

配向：（100）

タイプ/ドーパント：n / te

直径：50.8mm

キャリア濃度：0.8〜2.1×10 15 cm -3

厚さ：450±25μm; 525±25μm

epd＆lt; 200cm-2

ポリッシュ：ssp

3）2 \"insb

配向：（111）+ 0.5°

厚さ：450 +/-50μm

タイプ/ドーパント：n /アンドープ

キャリア濃度： 5×10 14 cm -3

epd＆lt; 5×103cm-2

表面粗さ： 15a

ボウ/ワープ： 30 um

ポリッシュ：ssp

4）2インチ

配向：（111）+ 0.5°

タイプ/ドーパント：p / ge

ポリッシュ：ssp

5）2 \"insb

厚さ：525±25μm、

配向：[111a]±0.5°

タイプ/ドーパント：n / te

ro =（0.020-0.028）ohmcm、

nc =（4-8）e14cm-3 / cc、

u =（4.05e5-4.33e5）cm2 / vs、

epd \u003c100 / cm 2、

移動性：4e5cm2 /対

1つの側縁。

（a）面：化学機械的に最終研磨して0.1μm（最終研磨）、

sb（b）面：化学機械的に最終研磨されて\u003c5μm（ラスターマーク）、

注：ncとモビリティは77ºkです。

ポリッシュ：ssp; dsp

6）2 \"ガスボンベ

厚さ：525±25μm、

配向：[111b]±0.5°、

タイプ/ドーパント：p /アンドープ、n /アンドープ

ポリッシュ：ssp; dsp

表面状態およびその他の仕様

インジウム・アンチモン（insb）ウェハは、ドーピング濃度および厚さの広い範囲の切断された、エッチングされたまたは研磨された仕上げのウェハとして提供することができる。ウェーハは高品質のエピレディ仕上げである可能性がある。

方向指定

ウェーハの面方位は、3軸X線回折計システムを使用して+/- 0.5度の精度で供給される。基板は、成長面からどの方向にも非常に正確な方向のずれを供給することができる。利用可能な方向は、（100）、（111）、（110）または他の方向または誤った程度であり得る。

パッケージング状態

研磨されたウェーハ：不活性雰囲気中で2つの外側バッグに個別に封止される。必要に応じてカセットの出荷が可能です）。

切断されたウェーハ：カセット出荷。 （ご要望に応じてグラスバッグをご用意しています）。

単語wiki

インジウムアンチモン（insb）ウェーハは、インジウム（In）およびアンチモン（sb）からなる結晶性化合物である。熱画像カメラ、フラワーシステム、赤外線原発ミサイルガイドシステム、赤外線天文学などの赤外線検出器で使用されるiii-vグループの狭いギャップの半導体材料です。アンチモン化インジウムアンチモン検出器は、1〜5μmの波長の間で感度がある。インジウムアンチモンは、古い単一検出器の機械的に走査された熱画像形成システムにおいて非常に一般的な検出器であった。別のアプリケーションは、テラヘルツ放射源として、それは強力なフォトデベンエミッタであるためです。

相対的な製品：

inasウェハ

インベストウェーハ

inpウェハ

ガウスウェーハ

ガスウエハー

ギャップウェーハ

ソース：semiconductorwafers.net

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、

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