2020-03-17
2020-03-09
ひずみによる表面変形などの欠陥の発生を研究するために、厚さ2.5μmのmovpe-ganテンプレート上に異なる数の周期を有するaln / gan超格子で成長させるためにmbeを使用した。成長後、試料を原子間力顕微鏡（afm）、透過型電子顕微鏡（tem）、xrdおよびフーリエ変換赤外分光法（ft-ir）で調べた。歪みは量子井戸の数（qws）と共に増加し、最終的に4つ以上のqw期間で光学顕微鏡検査によって目に見える微小亀裂のような欠陥を引き起こした。高解像度の画像では表面に浅い凹みが見られ（表面変形）、mqw領域に微小亀裂が形成されていることが示された。 4周期構造からの測定されたサブバンド間（is）吸収線幅は97mevであり、吸収エネルギーが約700mevである10周期構造からのスペクトルに匹敵する。これはmqwの界面品質がクラックの存在によって実質的に影響されないことを示している。
キーワード
サブバンドバンド;ガン; mbe;表面亀裂;サファイア基板;テンプレート
ソース：sciencedirect
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