2020-03-17
2020-03-09
界面ミスフィット転位アレイを使用して GaAs 基板上に成長させた nBn 設計のタイプ II InAs/GaSb 歪み層超格子 (SLS) 光検出器 (77 K で λ_{\rm cut\hbox{-}off} ~4.3 µm) について報告します。活性領域の貫通転位を最小限に抑えます。77 K および印加バイアス 0.1 V で、暗電流密度は 6 × 10-4 A cm-2 に等しく、最大比検出度 D* は 1.2 × 1011 ジョーンズ (0 V) と推定されました。293 K で、ゼロバイアス D* は ~109 ジョーンズであることがわかりました。これは、GaSb基板上に成長した nBn InAs/GaSb SLS 検出器に匹敵します。
出典:IOPサイエンス
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