2020-03-17
2020-03-09
ハイライト
• si-v材料のナノスケール欠陥は、cafmで特徴付けられた。
• 欠陥はより高い導電性を示す。
• 接触整流機能は逆バイアスの下でより大きな電流によって隠れる。
• アスペクト比トラップを用いて作製されたパターン化されたサンプルもまた特性決定された
抽象
高移動度デバイスの実装には、シリコン基板上にIII-V材料を成長させる必要がある。しかしながら、これらの材料間の格子不整合のために、III-V族半導体は、デバイスの電気的特性に影響を与える構造的欠陥を生じる傾向がある。この研究では、シリコンウェーハ上に成長させたIII-V材料において、ナノスケール欠陥、特に貫通転位（td）、積層欠陥（sf）および逆相境界（apb）の同定および分析にカフェ技術が用いられている。
グラフィカルな抽象
目標：ケイ素ウェーハ上に成長させたIII-V材料における貫通転位（td）、積層欠陥（sf）などのナノスケール欠陥を、カフムを用いて特徴付けた。提示された結果は、cafmがiii-v材料の様々なタイプの構造欠陥を特定し、その導電特性を測定するのを助けることができることを示している。
ソース：sciencedirect
キーワード
高移動度基板; iii-v半導体;貫通転位;カフェ
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