厦門のパワーウェイ先進材料有限公司は、株式会社のリーディングサプライヤ インナー ウェーハおよびその他の関連製品およびサービスは2017年に大量生産され、サイズ2の新製品が発表されました。この新製品は、パム・シャーマンの製品ラインに自然に追加された製品です。

ドクター。シャカは言った、 \"我々は提供することを喜んでいる インナー レーザーダイオードの信頼性と信頼性を向上させている多くのお客様を含め、のフォトルミネッセンス特性 インナー ガウスベースの1300nmレーザの性能を向上させる方法として、量子井戸を検討した。この材料の品質に著しい影響を及ぼすパラメータの中で、合金の成長温度およびin / n比は特に大きな影響を及ぼす。 gaまたはingaas材料に通常使用されるよりも実質的に低い成長温度がこの合金の品質を向上させると思われるが、0.3-0.35の割合では、量子井戸歪みと光学品質の間に許容可能な妥協が生じる。 「ブールの成長とウェーハプロセスを改善してくれます」と述べています。我々の インナー 我々の継続的な努力の結果として自然な製品であり、現在、我々はより信頼性の高い製品を継続的に開発することに専念しています。

パム・シャーマンの改善 インナー 製品ラインは、ネイティブの大学や研究所のセンターからサポートされている強力な技術の恩恵を受けています。

次の例を示します。

厦門電力会社先進材料有限会社について

xiamen powerway advanced material co。、ltd（pam-xiamen）は、1990年に発見され、中国の化合物半導体材料の大手メーカーです。 pam-xiamenは、高度な結晶成長とエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板、半導体デバイスを開発しています。 pam-xiamenの技術は、半導体ウェハの高性能化と低コスト化を可能にします。私たちは、mbeまたはmocvdによって成長されたga、al、in、as、およびpに基づいて、さまざまなタイプのエピウェーハのIII-Vシリコンドープn型半導体材料を製造しています。私たちは顧客仕様に合致するカスタム構造を提供しています。詳細な製品情報や特定のエピ層構造についてお問い合わせください。

約 インナー ウェーハ

インジウムガリウム砒素窒化物、新規半導体。単層および複数の量子井戸 インナー 調査した。いくつかの窒素はインガサに組み込むことができるが、窒素の取り込みは明らかに非常に低い窒素濃度（約0.2％）に制限されることが判明した。この濃度は1.3 / zmの放出波長に到達するには不十分である。

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、

私達にメールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com 。