厦門のパワーウェイ先進材料有限公司は、株式会社のリーディングサプライヤ アルガン およびその他の関連製品およびサービスは、2017年に2インチサイズの新製品が大量生産されると発表しました。この新製品は、pam-xiamenの製品ラインに自然に追加された製品です。

ドクター。シャカは言った、 \"我々は提供することを喜んでいる アルガン 青色〜紫外域で動作する発光ダイオードの方がより優れた信頼性の高い製品を開発している多くのお客様を含む、お客様にとって重要な材料です。我々の アルガン AlxGa1-xNのバンドギャップは、3.4ev（xal = 0）から6.2ev（xal = 1）に調整することができる。青色半導体レーザー、紫外線検出器、および高電子移動度トランジスタにも使用されています。 「ブールの成長とウェーハプロセスを改善してくれます」と述べています。我々の アルガン 当社の継続的な努力の成果である天然素材であり、現在はより信頼性の高い製品を継続的に開発することに専念しています。

パム・シャーマンの改善 アルガン 製品ラインは、強力な技術、ネイティブの大学と研究所センターのサポートから恩恵を受けています。

次の例を示します。

0）基板：h-r si（111）

1）緩衝液： アルガン -1.5μm

2）チャネル：gan-150nm

3）バリア：aln-6nm

4）in-situ sin -3nm

5）pecvd sin - 50 nm

厦門電力会社先進材料有限会社について

xiamen powerway advanced material co。、ltd（pam-xiamen）は、1990年に発見され、中国の化合物半導体材料の大手メーカーです。 pam-xiamenは、高度な結晶成長とエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板、半導体デバイスを開発しています。 pam-xiamenの技術は、半導体ウェハの高性能化と低コスト化を可能にします。

約 アルガン

窒化アルミニウムガリウム（ アルガン） 半導体材料である。窒化アルミニウムと窒化ガリウムとの合金である。

alxga1-xnのバンドギャップは、3.4ev（xal = 0）から6.2ev（xal = 1）まで調整することができる[1]。

アルガン 青色〜紫外領域で動作する発光ダイオードを製造するために使用され、250nm（遠紫外）までの波長が達成された。青色半導体レーザーにも使用されています。

それはまた、紫外線の検出器、およびalgan / gan高電子移動度トランジスタにおいても使用される。

アルガン 窒化ガリウムまたは窒化アルミニウムと一緒にしばしば使用され、ヘテロ接合を形成する。 アルガン 層をサファイア上で成長させることもできる。

合金alxga1-xnの潜在的利用の多くの領域があり、そのうちの少なくとも1つは紫外線検出器用途ではない。これらには、火炎および熱センサー、ミサイルプルーム検出、および地球からの安全な衛星通信が含まれる。 alxga1-xnバンドギャップは、それぞれ固有の用途に適合させるために、365nmから200nmのバンドエッジ波長範囲に対応する4.3ev（xal = 0）から6.2ev（xal = 1）まで調整することができる。約300nm波長以下の太陽放射は、大気中のオゾンによって吸収される。したがって、大きな太陽放射の背景の存在下での用途では、300nm以上の波長に対してスペクトル応答を示さないソーラーブラインド検出器が極めて望ましい。ソーラーブラインド検出器の場合、30％以上の組成が必要である。

q＆a

c：下記のようなエピウェーハを提案できますか？

0）基板：h-r si（111）

1）緩衝液： アルガン -1.5μm

2）チャネル：gan-150nm

3）バリア：aln-6nm

4）in-situ sin -3nm

5）pecvd sin - 50 nm

p：はい

1）緩衝液： アルガン - 1,5μm - 何％ですか？ c：8％

3）バリア：aln - 6 nm - 電気的特性の要件がある場合は？

c：

電気的特性：

移動度 - 1200-1400cm ^ 2 * v ^ -1 * s ^ -1;

濃度 - （2-2.2）×10 ^ 13cm -1;

層抵抗 - 235-240オーム/ sqw

p：濃度を2e13-2.2e13の範囲で満たすべきか？またはあなたは低濃度を受け入れることができますか？確認してください

c：はい、私たちはこの濃度範囲（室温ホール測定）を望んでいます。あなたはどんな濃度を提案できますか？

p： \"層抵抗 - 235-240ohm / sqw\"と言っていますが、それはウェーハ全体のシート抵抗率を意味しますか？

c：はい、dhfet構造全体のシート抵抗率を意味します*。

p：濃度が（2-2.2）e13に達することができない場合、シート抵抗率についても1e13であり、通常240未満に達することができるが、預金罪の後では240未満を保証することはできない。

キーワード：アルガン、窒化アルミニウムガリウム

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、

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