2020-03-17
2020-03-09
厦門のパワーウェイ先進材料有限公司は、株式会社のリーディングサプライヤ inp基板 その他の関連製品およびサービスは、2017年に2〜4インチサイズの新製品が大量生産されると発表しました。この新製品は、パム・シャーマンの製品ラインナップに自然な付加価値をもたらしています。
ドクター。シャカは言った、 \"我々は提供することを喜んでいる inp基板 光ファイバー・ネットワーク・コンポーネントをより良く開発し、信頼性を向上させている多くのお客様を含め、お客様に提供します。我々の inp基板 優れた特性を有することから、一連のドーピング実験により、有効偏析係数はinpのfeに対して1.6×10 -3と決定された。比抵抗を有する半絶縁性Inp結晶\u003e 10 ^ 7オーム-cmは、150ppmのFeをドープした溶融物から一貫して成長している。 「ブールの成長とウェーハプロセスを改善してくれます」と述べています。我々の inp基板 当社の継続的な努力の成果であり、現在はより信頼性の高い製品を継続的に開発することに専念しています。
pam-xiamenの改良されたinp製品ラインは、強力な技術の恩恵を受けています。ネイティブの大学と研究室のセンターからのサポート。
次の例を示します。
|
項目 |
仕様 |
単位 |
|
成長法 |
レーク |
- |
|
導電型 |
n |
- |
|
ドーパント |
シ |
- |
|
キャリア密度 |
（1〜6）×10 18 |
cm -3 |
|
移動性 |
1200〜2000 |
cm 2 ▪ v -1 ▪ 秒 -1 |
|
抵抗率 |
（0.6〜6）×10 -3 |
Ω ▪ cm |
|
epd |
≤500 |
cm -2 |
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オリエンテーション |
（100）±0.2 |
度 |
|
厚さ |
350±10 |
μm |
|
テレビ |
≤2 |
μm |
|
弓 |
- |
μm |
|
仕上げ（表面） |
鏡面研磨（エッチング） |
- |
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サイズ（直径） |
50±0.1 |
mm |
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オリエンテーションフラット |
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イデックスフラット |
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厦門電力会社先進材料有限会社について
xiamen powerway advanced material co。、ltd（pam-xiamen）は、1990年に発見され、中国の化合物半導体材料の大手メーカーです。 pam-xiamenは、高度な結晶成長とエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板、半導体デバイスを開発しています。 pam-xiamenの技術は、半導体ウェハの高性能化と低コスト化を可能にします。
約 inp基板
バルク多結晶のInP（リン化インジウム）は、勾配凍結プロセスを介して元素から合成される。典型的なブールのホールデータは、nd-na = 4.7×1015 / cm3およびμ77= 28,000cm2 / v-secである。フォトルミネッセンスデータは、亜鉛が、多結晶のinpおよび電荷材料として合成されたInPを用いて成長させた名目上ドープされていないlec単結晶において、アクセプタ不純物として存在することを示している。
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：h ttp：//http://www.semiconductorwafers.net 、
私達にメールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com 。
連絡先
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