2020-03-17
2020-03-09
ハイライト
•ガード/シリコン太陽電池では、電流経路を減らすために凹構造が使用されました。
・関連する直列抵抗は、凹状の構造によって減少した。
・ピラミッド状のくぼみ構造により、キャリア再結合損失が改善された。
この研究では、分子線エピタキシャルシステムを用いて、ガーベースの太陽電池のエピタキシャル層をSi基板上に成長させた。得られた太陽電池の性能を向上させるために、Si基板の裏面にピラミッド状のビアホール凹部電極構造を作製した。ビアホールのリセス構造によって電流経路が効果的に低減されたため、得られたgaas / si太陽電池の直列抵抗とキャリア再結合損失が減少した。従来のgaas / si太陽電池と比較して、短絡電流密度やフィルファクタの改善により、ビアホールのリセス構造を有するgaas / si太陽電池の21.8％の変換効率向上が得られた。
キーワード
gaas / si太陽電池;低温原子層エピタキシー法。分子ビームエピタキシャルシステム;穴あき構造
ソース：sciencedirect
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