2020-03-17
2020-03-09
GaN の選択領域成長を実行し、MOVPE によって無極性および半極性のバルク GaN 基板上に InGaN/GaN MQW を作製しました。GaN 構造の違いと、非極性および半極性 GaN 基板上に成長した InGaN/GaN MQW の In 組み込みを調査しました。選択領域成長の場合、GaN、GaN、およびGaN 基板上に異なる GaN 構造が得られました。. とファセットの繰り返しパターンが GaN に現れました。次に、GaN 上のファセット構造上に InGaN/GaN MQW を作製しました。カソードルミネッセンスによって特徴付けられる発光特性は、ファセットとファセットで異なっていました。一方、無極性および半極性の GaN 基板上の InGaN/GaN MQW では、a 軸に沿ったステップが AFM によって観察されました。特にGaNでは、うねりやうねりバンチングが現れました。フォトルミネッセンスの特徴付けにより、インの取り込みは m 面からのオフ角度とともに増加し、極性にも依存することが示されました。
出典:IOPサイエンス
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