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ギャーンテンプレート
pam-xiamenのテンプレート製品は、サファイア基板上に堆積された窒化ガリウム（gan）、窒化アルミニウム（aln）、窒化アルミニウムガリウム（algan）および窒化インジウムガリウム（ingan） シリコンカーバイドまたはシリコン・パーム・シャイアのテンプレート製品は、コスト、歩留まり、および性能においてデバイスを改善することができる、より良好な構造品質およびより高い熱伝導率を有する20〜50％短いエピタキシサイクル時間およびより高品質のエピタキシャルデバイス層を可能にする。 -
フリースタンディングガーン基質
pam-xiamenは、uhb-ledとldのためのフリースタンディング（窒化ガリウム）基板ウェーハ用の製造技術を確立しました。水素化物気相エピタキシー（hvpe）技術によって成長させると、我々のgan基板は欠陥密度が低い。 -
ガンベースのエピタキシャルウェーハ
pam-xiamenのガリウム（窒化ガリウム）ベースのエピタキシャルウェーハは、超高輝度青色および緑色発光ダイオード（led）およびレーザダイオード（ld）アプリケーション向けです。 -
ガン・ヘムエピタキシャル・ウェーハ
窒化ガリウム（GaN）半田（高電子移動度トランジスタ）は、次世代のRFパワートランジスタ技術であり、ガン技術には感謝している。パム - シャーマンはサファイアまたはシリコン上にalgan / gan hemtエピウェハを、サファイアテンプレート上にはalgan / 。 -
inasウェハ
xiamen powerwayは、エピタキシャルまたはメカニカルグレードのn型、p型または半絶縁性の異なる（111）または（100）のlec（液体封入チョクラルスキー）によって成長させたヒ化インジウム - インジウムを提供しています。ホットタグ : inasウェハ inas基板 インジウム・ヒ素・ウェーハ インジウム砒素基板 インジウム砒素半導体 インジウム砒素構造
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