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Ge(bi、sb)の単結晶成長と熱電特性4te7

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Ge(bi、sb)の単結晶成長と熱電特性4te7

2018-07-12

10〜300kの間の熱電特性および n型およびp型Geの単結晶 bi4te7、gesb4te7およびge(bi1-xsbx)4te7固溶体が報告されている。単結晶を修飾ブリッジマン法により成長させ、p型挙動はgebi4te7中のsbによるbiの置換によって達成された。


ge(bi1-xsbx)4at7固溶体の熱電力は-117〜+160μvk-1の範囲である。 n型からp型へのクロスオーバは、sb含量の増加に伴って連続的であり、x≒0.15で観察される。試験したn型およびp型試料間の最高熱電効率は、それぞれznt = 0.11およびzpt = 0.20である。この合金システムにおける最適なn-p対について、複合性能指数は、室温でznpt = 0.17である。


ソース:iopscience


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