チームは、少数層エピタキシャルグラフェンの埋め込み層の役割を計算する

2017-03-27

グラフェンは、単一のシート状の炭素原子でできているため、既知の巨視的物体の中で最も速い速度でグラフェンを回転させることができる。イメージクレジット：ウィキメディアコモンズ。

メアリーランド大学とテキサス大学との第一次共同研究は、少数層グラフェンの異なる層における電子間の静電相互作用が最上層の特性にどのように影響するかを計算した[1]。

グラフェンは2004年にバルクグラファイトから最初に抽出されて以来、著しい科学的進歩と技術開発の中心にあった。

特に有望な材料は、典型的には数層のグラフェンシートで成長する基板からSiを昇華させることによって、sic結晶の表面上に成長したグラフェンである。

グラファイト結晶と異なり、これらの層は、原子が整列しないように互いに対して回転される。この回転は、cnstで行われた最近の走査トンネル顕微鏡測定で見られるように、驚くべき結果をもたらす[2]。

高磁場および低温では、最上層は、孤立したグラフェンシートのように多くの方法で動作するが、電荷が他の層に移動することができるシートである。

測定はまた、研究の最高のフィールドで、測定されたスペクトルが、システムの単純な単一粒子記述によっては説明できない隙間を有することを示した。最上層の電子は、同じ層内または他の層内の他の電子と相互作用していた。

実験データのいくつかの側面を説明する最新の計算では、電子が層の間をどのように移動するか、そして最上層と他の層の電子の間に「相関状態」がどのように生じるかを明らかにする。

グラフェンの科学的パズルの層が剥がれ落ちる際に出現している興味深い現象の多様性をさらに実証しています。

ソース：phys

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