より小型で効率的な電気変換器を可能にするガリウム・ナイトライド（gan）半導体技術の新興企業であるxファブ・シリコン・ファウンダリーとエクオール（exagan）は、200mmガンで高効率の高電圧パワーデバイスを製造する量産能力を実証していますドレスデン、ドイツでx-fabの標準CMOS製造設備を使用したシリコンウェーハ。この成果は2015年に開始された共同開発協定の結果であり、小型ウェハでは達成できないコストパフォーマンスのメリットを実現します。

（画像：x-fabシリコンファウンダリー）

Exagan、およびx-fabは、標準的な製造装置およびプロセスレシピを使用しながら、材料ストレス、欠陥およびプロセス統合に関する多くの課題を解決しました。 200mmウェーハの使用と組み合わされると、これはgan-on-siliconデバイスの量産コストを大幅に下げることになります。 ganデバイスは、電気自動車の充電スタンド、サーバー、自動車、産業システムなどのアプリケーションでの採用を加速する、電気変換器の効率を高め、コストを削減することができます。

（イメージ：エグゼクティブ）

新しいgan-on-siliconデバイスは、フランスのグルノーブルにあるエキガンの200mmエピ製造施設で製造された基板を使用して製造されています。これらのエピウェーハは物理的および電気的仕様を満たし、エクオールの650ボルトg-fet（商標）デバイスならびにCMOS製造ラインとの互換性に対する厳しい要件を生成する。

ganによる業界の以前の研究は、シリコン基板上にガン膜を積層するという課題のために、100mmと150mmのウェーハに限られていました。 Exagan社のg-stack™技術は、ganとシリコン層間の応力を緩和するganと歪み管理層の独自のスタックを堆積することにより、gan-on-siliconデバイスを200 mm基板上でより低コストで製造することを可能にします。得られるデバイスは、高い破壊電圧、低い垂直漏れおよび高温動作を示すことが示されている。

エクサジェンの社長兼CEOであるフレデリック・デュポンは、「これは当社の製品開発と資格を加速させるための当社の開発における大きなマイルストーンです。エピタキシャル材料、x-fabのウェーハ製造プロセスとデバイス設計機能の強みを併せ持っています。マテリアルからデバイスおよびアプリケーションまでの専門知識を持ち、垂直統合されたfab-liteモデルの成功を確認します。 Ganパワー製品がサーバー、家電製品、自動車市場で幅広い牽引力を発揮しているように、最も競争力のある200-mmプラットフォームでganテクノロジーと製品を確立するのに最適なタイミングです」

「エクシアンのリーダーシップチームと製品性能ロードマップに高い自信を持っています」とx-fabのCEO、ルディ・デ・ウィンターは語っています。 x-fabは、この生産的なパートナーシップを通じて、エクサルマンの技術を製造に取り入れ、信頼できるサプライチェーンを持つ電力変換市場を提供するためのリソースと専門知識を活用しています。

Exaganは、ドイツのニュルンベルクにある16-18のpcimヨーロッパトレードショーのブース＃9-230に革新的なgan技術とg-fetトランジスタを展示します。

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ソース：ledinside

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