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2020-03-17
2020-03-09
ほとんどのシリコン電子デバイスは、昇華成長ウェハに直接製造されるのではなく、代わりに初期昇華成長ウェハの上に成長するより高品質のエピタキシャル層で製造される。十分に成長したsicエピ層は、優れた電気的特性を有し、バルク昇華成長ウェハ材料よりも制御可能であり、再現可能である。従って、高品質のエピ層の制御された成長は、有用な回路エレクトロニクスの実現において非常に重要である。
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