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808nmレーザーウェーハ

2017-08-10

xiamen powerway(pam-xiamen)は、808nmのAlgainp / GaAsレーザー構造ウェハを提供する化合物半導体エピタキシャルウェハの開発および製造をリードしています。


材料

バツ

y系統  耐性

pl

厚さ

タイプ

レベル

 

 

 

 

(ppm)

(nm)

(um)

 

(cm -3)

8

ガウス

 

 

 

 

0.1

p

> 2.00e19

7

ゲイン(x)p

0.49

 

+/- 500

 

0.05

p

 

6

[(y)pの中の[al(x)ga]

0.3

0.49

+/- 500r

 

1

p

 

5

ゲイン(x)p

0.49

 

+/- 500

 

0.5

ユー/ d

 

4

ガース(x)p

0.86

 

+/- 500

798

0.013

ユー/ d

 

3

ゲイン(x)p

0.49

 

+/- 500

 

0.5

ユー/ d

 

2

[(y)pの中の[al(x)ga]

0.3

0.49

+/- 500

 

1

n

 

1

ガウス

 

 

 

 

0.5

n

 

ガウス基板

 

 

 

 

 

n

 


出典:pam-xiamen


詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください: http://www.semiconductorwafers.net

s 私たちのメールでの私たちの終了 luna@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com


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当社製品に関する見積もりや詳細情報を希望される場合は、私たちにメッセージを残して、できるだけ早く返信します。