ガース・メメット・エピウェーハ

2017-08-06

私たちは4 \"ガーメットエピウェーハ（ガーベリーエピウェーハ）を提供することができます、下記の典型的な構造を参照してください：

n + in0.53ga0.47as 20nm（n = 1×10 ^ 19cm ^ -3）

n + inpエッチストッパー5nm（n = 5×10 ^ 18cm ^ -3）

i-in0.52al0.48asショットキバリア10nm

Si-デルタドーピング（n = 6×10 ^ 12cm ^ -2）

i-in0.52al0.48as spacer 4nm

i-in0.53ga0.47asチャネル15nm

in0.52al0.48asバッファ300nm

変成バッファー300nm（基板から

in0.53ga0.47as）

s.i.ガウス基盤テ

ソース：semiconductorwafers.net

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、

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