室温で低磁場下で大きな磁気抵抗効果（mr）を得ることは、半導体ベースのデバイスにとって依然として大きな課題である。この論文では、室温での異なる照射強度下での光誘起mr効果を、 半絶縁ガリウム砒素 （ si-gaas ）ベースのag / si-gaas / agデバイス。装置は、約395nm-405nmの範囲の波長を有する発光ダイオード（led）ランプビーズによって供給される光の照射を受け、各LEDランプビードの作動力は約33mwである。 光誘起mrは磁場（b）1tまで飽和せず、低磁場（b = 0.001t）のmr感度s（s = mr / b）は15t-1に達することができる。光誘起電子と正孔の再結合は陽性の光誘起mr効果をもたらすことが見出されている。このことは、真性キャリア濃度が非常に低い非磁性半導体デバイスにおいて、低磁場下で光誘起された高い光誘起が得られることを意味する。 ソース：i...
3インチのFeドープの転位密度を減少させるプロセス inpウェーハ 説明する。結晶成長プロセスは、従来の液体封入チョクラルスキー（lec）であるが、成長する結晶の熱勾配を減少させるために熱シールドが追加されている。これらのシールドの形状は、熱伝達および熱機械的応力の数値シミュレーションの助けを借りて最適化されています。 このプロセスは、計算と実験との間の連続フィードバックを用いて段階的に実施されている。熱応力の50％低減が得られている。エッティングピット密度（epd）およびX線回折（xrd）マッピングによって転位密度に及ぼすこれらの改良の影響が調査されている：転位密度は、特に結晶の上部で著しく減少している（70,000から40,000cm- 2）ので、マイクロエレクトロニクスアプリケーションの仕様に適合します。 sドープ3インチウェハについても同様の改善が得られている。 ソース：iopsc...
酸素析出物の密度と光散乱強度が czシリコン 結晶は赤外光散乱トモグラフィーによって測定される。測定により明らかになった数値データを酸素析出量との関連で考察する。ここで得られた結果は、酸素析出物が光を散乱させるという理論的分析とよく一致している。赤外光散乱トモグラフィーによって得られた情報は、czシリコン結晶中の酸素の析出過程を非常によく説明し、この方法によって得られた析出物の密度は信頼できるものである。 ソース：iopscience 窒化ケイ素結晶構造、窒化ケイ素結晶構造、 炭化ケイ素ウエハー 私たちのウェブサイトをご覧ください： 、 私達に電子メールを送ってください または...
高性能な炭化ケイ素（ SiC ）パワーデバイスでは、p型SiCに対する低抵抗オーミックコンタクトを開発する必要があります。オーミック接触抵抗を減少させるためには、金属/ SiC界面における障壁高さの減少またはSiC基板におけるドーピング濃度の増加が必要である。障壁高さの低減は極めて困難であるため、Alドーピング濃度の増加は 4H-SiC イオン打ち込み技術によって打ち負かされた。 Ti / AlおよびNi / Ti / Al金属（スラッシュ「/」記号は堆積シーケンスを示す）をAlイオン注入SiC基板上に堆積させた。実験的および理論的接触抵抗を比較することにより、金属/ SiC界面を通る電流輸送メカニズムは熱イオン電界放出であると結論づけられ、障壁高さは約0.4eVと決定された。 4H-SiCのAlドーピング濃度を増加させると正孔濃度が増加するが、透過型電子顕微鏡で注入されたSiC層に観察さ...
本論文では、完全結合三次元電気熱デバイスシミュレータを用いて、高電流動作時の平面劣化 G a N系発光ダイオード （LED）。特に、より厚い導電性GaN基板を用いた効率低下の改善が実証されている。第1に、薄い導電性GaN基板内の局所ジュール加熱は、内部量子効率（IQE）を低下させ、直列抵抗を増加させることが分かった。 次に、より厚い導電性GaN基板および基板内の電流密度および温度のシミュレートされた分布を導入した。その内部の最大電流密度は、 GaN基板 100μmの厚さの基板では、5μmの厚さの基板に比べて約6倍減少する。したがって、最大接合部温度が低下し、IQEおよび駆動電圧が向上します。本研究では、厚いGaN基板が高電流動作で平面LEDの特性を改善するのに有効であることを証明している。 出典：IOPscience もっと詳しく GaN系LEDエピタキシャルウエハ 、 中国ガリウム窒化物...
上へのGaSb膜成長の直交実験 GaAs基板 低圧有機金属化学気相成長（LP-MOCVD）システムを使用して設計され、実行されています。製造されたフィルムの結晶度および微細構造は、最適な成長パラメータを達成するために比較的分析された。 最適化されたＧａＳｂ薄膜は、（００４）ωロッキングカーブの半値全幅（３５８秒角）、および約６ｎｍの低い二乗平均平方根粗さを有する滑らかな表面を有することが実証された。これはヘテロエピタキシャル単結晶膜の場合に典型的である。また、GaSb薄膜の層厚が転位密度に及ぼす影響をラマンスペクトルにより調べた。我々の研究は製造のための貴重な情報を提供できると信じられています。 高結晶性GaSb膜 そして、主流の性能を有する電子装置上に製造された中赤外線装置の集積確率を促進することができる。 ソース：iopscience のような私達の良質プロダクトについてのより多くの情...
直接接合の上に成長させた1.5aμmGaInAsPレーザダイオード（LD）の接合温度依存レーザ発振特性 InP基板 または Si基板 正常に取得されました。私達は作りました InP 基板 ３５０、４００、および４５０℃の接合温度で直接親水性ウェハ接合技術を使用し、または堆積されたＧａＩｎＡｓＰまたは InP二重ヘテロ構造層 このＩｎＰ ／ Ｓｉ基板上に。成長後の表面状態、Ｘ線回折（ＸＲＤ）分析、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル、および電気的特性をこれらの結合温度で比較した。これらの接合温度におけるＸ線回折分析およびＰＬスペクトルに有意差は確認されなかった。 350℃と400℃で接合したInP / Si基板上にGaInAsP LDの室温レーザ発振を実現した。しきい値電流密度は、３５０℃で４．６５ｋＡ ／ ｃｍ ２、４００℃で４．３８ｋＡ ／ ｃｍ ２であった。電気抵抗はアニーリング温度...
Si 上のエピタキシャル SiC 膜の成長における最近の進歩を概説します。SiC 膜の成長に現在使用されている基本的な古典的な方法について説明し、その長所と短所を調べます。エピタキシャルSiC膜の新合成法の基本的な考え方と理論的背景Si上で与えられます。新しい方法は、基板表面への原子の蒸発を利用する従来の薄膜成長技術とは大きく異なることが示されます。新しい方法は、炭化ケイ素の分子を形成する炭素原子によるシリコン マトリックスのいくつかの原子の置換に基づいています。次の SiC 核生成プロセスは、シリコン マトリックスの結晶構造を破壊することなく徐々に発生し、成長した膜の配向は、シリコン マトリックスの元の結晶構造によって決定されることが示されます。フィルム成長の従来の方法）。新しい方法と他のエピタキシー技術との比較が示されます。 原子の置換と膨張双極子の作成に基づく固相エピタキシーの新しい...
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