室温で低磁場下で大きな磁気抵抗効果(mr)を得ることは、半導体ベースのデバイスにとって依然として大きな課題である。この論文では、室温での異なる照射強度下での光誘起mr効果を、 半絶縁ガリウム砒素 ( si-gaas )ベースのag / si-gaas / agデバイス。装置は、約395nm-405nmの範囲の波長を有する発光ダイオード(led)ランプビーズによって供給される光の照射を受け、各LEDランプビードの作動力は約33mwである。
光誘起mrは磁場(b)1tまで飽和せず、低磁場(b = 0.001t)のmr感度s(s = mr / b)は15t-1に達することができる。光誘起電子と正孔の再結合は陽性の光誘起mr効果をもたらすことが見出されている。このことは、真性キャリア濃度が非常に低い非磁性半導体デバイスにおいて、低磁場下で光誘起された高い光誘起が得られることを意味する。
ソース:iopscience
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