TeドープGaSb単結晶は、ホール効果、赤外線（IR）透過およびフォトルミネッセンス（PL）スペクトルを測定することによって研究されている。 Teのドーピング濃度と電気的補償の臨界制御により、IR透過率のn型GaSbを60％もの高さで得ることができることが分かった。天然のアクセプタ関連欠陥の濃度は、明らかに、Teドープされた GaSb ドーピングされていない、多量のTeドープされたGaSbのものと比較して、高IR透過率のメカニズムは、欠陥を伴う光吸収プロセスを考慮することによって分析される。 出典：IOPscience 窒化ケイ素結晶構造のような当社の製品についての詳細は、 フロートゾーンウェーハ 、 炭化ケイ素ウエハー 当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer...
高性能な炭化ケイ素（ SiC ）パワーデバイスでは、p型SiCに対する低抵抗オーミックコンタクトを開発する必要があります。オーミック接触抵抗を減少させるためには、金属/ SiC界面における障壁高さの減少またはSiC基板におけるドーピング濃度の増加が必要である。障壁高さの低減は極めて困難であるため、Alドーピング濃度の増加は 4H-SiC イオン打ち込み技術によって打ち負かされた。 Ti / AlおよびNi / Ti / Al金属（スラッシュ「/」記号は堆積シーケンスを示す）をAlイオン注入SiC基板上に堆積させた。実験的および理論的接触抵抗を比較することにより、金属/ SiC界面を通る電流輸送メカニズムは熱イオン電界放出であると結論づけられ、障壁高さは約0.4eVと決定された。 4H-SiCのAlドーピング濃度を増加させると正孔濃度が増加するが、透過型電子顕微鏡で注入されたSiC層に観察さ...
ザ SiCおよびGaNパワー半導体市場の開発 SiC技術と市場の現状、そして 今後数年間の開発動向 SiCデバイス市場は有望です。ショットキーバリアの販売 ダイオードは成熟し、MOSFET出荷は大幅に増加すると予想されている 今後3年間でYoleDéveloppementのアナリストによると、SiCは ダイオードに関しては非常に成熟しており、GaNはSiC MOSFETにはまったくチャレンジしていません 1.2kV以上の電圧で動作します。 GaNは650VのSiC MOSFETと競合する可能性があります SiCはより成熟しています。 SiCの販売は急速に伸び、 SiCはシリコンパワーデバイス市場から市場シェアを獲得し、 今後数年間に化合物の成長率は28％に達すると予測している。 IHS Markitは、SiC産業が ハイブリッドやハイブリッドなどのアプリケーションの成長に 電気自動車、パワ...
X線トポグラフィおよび化学エッチング検査 Si：Ge単結晶 1.2原子％および3.0原子％のGeを含有し、精密な格子パラメータ測定値と共に実施した。投影トポグラフでは、おそらくGe原子の不均一な分布による同心円の「準円」（縞模様）の形の回折コントラストが観察された。 エッチングパターンは、エッチングピットとしてのストリエーションおよび転位に対応するバンドを明らかにした。中央の「コア」結晶領域（ストリエーションフリー）は、断面形状分析から結論したように、微小欠陥によって強く乱された結晶格子を示した。格子パラメータ測定は、分布の不均一性を示している Ge原子 サンプル全体で もっと他のベスト PAM-XIAMENの 好きな商品 ゲルマニウムウェハー 、 エピウェーハ 、 エピタキシャルウェハ 歓迎する私たちのウェブサイト：semiconductorwafers.net 私達に電子メールを送って...
我々は、ウエハに埋め込まれた温度センサの熱応答時間を決定するための非接触法を提示する。この方法では、フラッシュランプがウェハ上のスポットを周期的なパルスで照射する。スポットは、テスト中のセンサーと反対側にあります。次いで、センサの熱時定数は、その時間的応答の測定から、熱の理論的モデルと共にセンサ内へおよびウエハ内での横方向の両方で得られる。白金抵抗温度計（PRT）とその中に埋め込まれた熱電対の両方に関する実験データ シリコン ウェーハ 熱伝達モデルとの良好な一致を示す。 広範囲の実験パラメータに対する熱応答時間の値は、8％（PRT）と20％（熱電対）の標準偏差内で一致しており、我々の結果の自己矛盾がないことを示しています。この方法は、計装化シリコンウェハに使用されるセンサの熱的性質を決定するために直接適用可能である。我々は、この方法が新しいセンサ取り付け方法の開発、製造中のセンサの適切な取...
１３．５６ＭＨｚのプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて、水素化微結晶の初期成長段階でシード層が製造される。 シリコンゲルマニウム （μｃ − Ｓｉ １ − ｘ Ｇｅ ｘ：Ｈ）ｉ層。 μc-Si 1-x Ge x：H i層の成長およびμc-Si 1-x Ge x：H p-i-nの性能に対するシーディングプロセスの効果 単接合太陽電池 調査されます。このシーディング法を適用することによって、μｃ − Ｓｉ１ − ｘＧｅｘ：Ｈ太陽電池は、μｃ − Ｓｉ：Ｈ太陽電池としての青色応答の許容可能な性能と共に、短絡電流密度（Ｊｓｃ）および曲線因子（ＦＦ）において有意な改善を示す。 Ｇｅ含有量ｘが０．３まで増加したときでも。最後に、μｃ − Ｓｉ ０．７ Ｇｅ ０．３：Ｈ太陽電池について７．０５％の改善された効率が達成される。 ソース：iopscience 詳細については、当社のWebサイトをご覧...
均質材料の場合、ほとんどニュートンのアルゴリズムに基づいた数値最適化プロセスに関連する超音波浸漬法は、様々な合成および天然複合材料の弾性定数の決定を可能にします。それにもかかわらず、考慮されている材料が同次仮説の限界にあるとき、既存の最適化手順の主な制限が生じる。これは、織物双方向ＳｉＣマトリックスの場合である。 SiC繊維 複合材料。 本研究では、2次元SiCの弾性定数を決定するための2つの数値解析法を開発した。 SiC複合材料 （２Ｄ ＳｉＣ ／ ＳｉＣ）。最初のものはニュートンのアルゴリズムに基づいています：弾性定数は実験と計算された速度の間の平方偏差を最小にすることによって得られます。 2番目の方法は、Levenberg-Marquardtアルゴリズムに基づいています。我々は、これらのアルゴリズムが均質異方性複合材料の場合に同じ結果を与えることを示す。 ２Ｄ ＳｉＣ ／ ＳｉＣ複合...
直接接合の上に成長させた1.5aμmGaInAsPレーザダイオード（LD）の接合温度依存レーザ発振特性 InP基板 または Si基板 正常に取得されました。私達は作りました InP 基板 ３５０、４００、および４５０℃の接合温度で直接親水性ウェハ接合技術を使用し、または堆積されたＧａＩｎＡｓＰまたは InP二重ヘテロ構造層 このＩｎＰ ／ Ｓｉ基板上に。成長後の表面状態、Ｘ線回折（ＸＲＤ）分析、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル、および電気的特性をこれらの結合温度で比較した。これらの接合温度におけるＸ線回折分析およびＰＬスペクトルに有意差は確認されなかった。 350℃と400℃で接合したInP / Si基板上にGaInAsP LDの室温レーザ発振を実現した。しきい値電流密度は、３５０℃で４．６５ｋＡ ／ ｃｍ ２、４００℃で４．３８ｋＡ ／ ｃｍ ２であった。電気抵抗はアニーリング温度...
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