グラファイトキャッピング層が評価されて、注入後アニール中にパターン化され選択的に注入された4hエピタキシャルウェハの表面を保護する。 a-z-5214eフォトレジストを750〜850℃の範囲の温度で真空中でスピン焼成し、高さ2μmまでのフィーチャを有する平面およびメサエッチングされた表面の両方に連続コーティングを形成した。水素化ポリマー様フィルムのナノ結晶性グラファイト層への完全な変換をラマン分光法によって確認した。グラファイトキャッピング層は損傷しておらず、その後のアルゴン雰囲気中での1650℃までの30分間のアニーリングの間に、平面およびメサエッチングされた表面の両方を保護した。注入領域のステップバンチングとドーパントアウトディフュージョンを効果的に抑制し、同時に4hエピタキシャルウェハの未注入表面に汚染がないことを確実にした。注入されていないアニールされた表面上に形成されたショットキ...
本論文では、非熱的方法による非極性（すなわち、m面およびa面）および半極性（すなわち、（20.1）面）ウェハの開発について概説する。成長方法および研磨結果について説明する。我々は、26mm×26mmの非極性および半極性のウエハを製造することに成功した。これらのウェーハは、104cm-3程度の貫通転位密度を有する顕著な構造的および光学的特性を有する。ホモエピタキシャル層およびアルガンヘテロ構造の詳細な研究も示され、オプトエレクトロニクスデバイスの製造における研究されたアモノサーマル基板の可能性を示している。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@g...
レーザ干渉リソグラフィを用いて、srtio3単結晶基板上のsrruo3下部電極の全領域（10mm×10mm）上に、秩序だったpb（zr0.2x0.8）o3ナノディスクおよびナノ構造のウェハスケールアレイを作製した（lil）プロセスとパルスレーザ堆積を組み合わせたものである。ナノ構造の形状およびサイズは、パターン化された穴を通して堆積されたpztの量および結晶化後工程の温度によって制御された。 X線回折および透過型電子顕微鏡法により、（001）配向単結晶基板を覆うsrruo3（001）下部電極層上に（001）配向pztナノ構造がエピタキシャル成長することが確認された。 pztナノ島のドメイン構造は、シンクロトロンX線放射を用いた相互空間マッピングによって特徴付けられた。各圧電ナノ構造の強誘電特性は、圧電応答モードでの走査型力顕微鏡によって特徴付けられた。 ソース：iopscience 詳細に...
我々は、欠陥のない閃亜鉛鉱インブナノワイヤのau支援化学ビームエピタキシ成長を報告する。成長した インブ セグメントは、inas（111）b基板上のInAs / Inbヘテロ構造の上部セクションである。我々は、時間分解分析を用いて、閃亜鉛鉱insbが、積層欠陥または双晶面のような結晶欠陥なしに成長できることを示す。 歪みマップ解析は、界面から数ナノメータ以内でinsbセグメントがほぼ緩和されていることを示している。成長後の研究により、触媒粒子組成がauin2であり、tdmasbフラックス下で試料を冷却することによって、auin合金に変化させることができることを見出した。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.co...
最近のエピタキシャル膜の成長が概観されている。現在映画映画の成長に使用されている基本的な古典的方法が議論され、その長所と短所が探究されている。 Si上にエピタキシャル膜を合成する新しい方法の基本的な考え方と理論的背景が示されている。この新しい方法は、原子の基板表面への蒸発が利用される従来の薄膜成長技術とは大きく異なることが示されるであろう。 この新しい方法は、シリコンマトリックス中のいくつかの原子を炭素原子で置換して分子を形成することに基づいている 炭化ケイ素 。シリコンマトリックスの結晶構造を破壊することなく徐々に核生成の次のプロセスが起こり、成長した膜の配向はシリコンマトリックスの元の結晶構造によって課されることが示される（フィルム成長の従来の方法）。新しい方法と他のエピタキシー技術との比較を行う。 原子の置換に基づく固相エピタキシーの新しい方法および拡張双極子の作成は、ヘテロエピタキ...
室温で低磁場下で大きな磁気抵抗効果（mr）を得ることは、半導体ベースのデバイスにとって依然として大きな課題である。この論文では、室温での異なる照射強度下での光誘起mr効果を、 半絶縁ガリウム砒素 （ si-gaas ）ベースのag / si-gaas / agデバイス。装置は、約395nm-405nmの範囲の波長を有する発光ダイオード（led）ランプビーズによって供給される光の照射を受け、各LEDランプビードの作動力は約33mwである。 光誘起mrは磁場（b）1tまで飽和せず、低磁場（b = 0.001t）のmr感度s（s = mr / b）は15t-1に達することができる。光誘起電子と正孔の再結合は陽性の光誘起mr効果をもたらすことが見出されている。このことは、真性キャリア濃度が非常に低い非磁性半導体デバイスにおいて、低磁場下で光誘起された高い光誘起が得られることを意味する。 ソース：i...
高引っ張り歪みサブ単層Geナノ構造 ガス 分子線エピタキシーにより成長させ、超高真空走査トンネル顕微鏡法によって研究した。 gasb上のGeナノ構造の4つの異なる被覆率が達成され、調査される。 gasb上のGeの成長が2d成長モードに従うことが見出される。サブ単層の結晶格子 ゲ ナノ構造は気体の構造とコヒーレントであり、Geナノ構造における引っ張り歪みが7.74％と大きいと推測される。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com...
本論文では、新しい3次元（3D） フォトリソグラフィー 繊維基材上の高解像度微細パターン形成技術のための技術。非平面表面のリソグラフィ技術に関する簡単な概説も提示されている。提案された技術は、主に、3D露光モジュールの微細加工と、ファイバ上の薄いレジスト膜のスプレー堆積とを含む。石英基板のウェットエッチングと投影露光法によって3d露光モジュールがうまく準備される。 3D露光モジュールの主な利点は、長寿命、低コスト、狭い印刷ギャップ、したがって高解像度である。高解像度の微細パターン形成プロセスに必要な均一で薄いレジスト膜を繊維上に調製するための新規なスプレーコーティングシステムが開発されている。直径125μmの光ファイバのスプレーデポジションプロセスが系統的に調査されています。繊維上のスプレーコーティング堆積プロセスは主に衝突領域からなるので、レジスト溶液の粘度および揮発性は複雑な効果を有す...
連絡先
+86-592-5601 404