2020-03-17
2020-03-09
私たちは結果を インガナ/ガース 1.3μm範囲の垂直共振器面発光レーザ（vcsels）。エピタキシャル構造は、有機金属化学蒸着（mocvd）または分子ビームエピタキシ（mbe）によって（100）ガウス基板上に成長させた。の窒素組成 / gaasとしてのinga（n） 量子井戸（qw）活性領域は0〜0.02である。長波長（1.3μmまで）の室温連続波（rt cw）レーザ動作が、mbeおよびmocvd成長したセルで達成された。 n-ドープ及びp-ドープの分布ブラッグ反射器（dbr）を有するモーションドデバイスの場合、0.64m0.64n0.006as0.994 / gaas vcselsの最大光出力は0.74mWであった。 2.55kAcm-2の非常に低いjthが、インガナ/ガウスセルについて得られた。 mbe成長デバイスは、空洞内構造で作製された。 rt cw動作の下で、1mwの出力パワーを有する1.3μm帯の0.35ga0.65n0.02as0.98 / gaas vcselsのトップエミッションマルチモードが達成された。報告されている最も低い閾値電流密度である0.35ga0.65n0.02as0.98 / gaas vcselsのmbe成長で1.52kAcm-2のj番目が得られた。インガナ/ガウス塊の放出特性を測定し、分析した。
ソース：iopscience
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、
私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com
連絡先
+86-592-5601 404