2020-03-17
2020-03-09
我々は、tan / ta / si（100）薄膜システムのta / si界面でシリコン中に形成された立方体対称性を有する新しい窒化シリコンを発見した。 シリコンウェーハ 500または600℃でアニールした。アニーリング処理後の立方晶窒化ケイ素は逆ピラミッド形状のシリコン結晶中に成長した。逆ピラミッドの境界面はシリコン結晶の{111}面であった。窒化ケイ素とシリコン結晶との間の配向関係は立方晶から立方晶である。新しい窒化シリコンの格子定数はa = 0.5548nmであり、シリコン結晶の格子定数よりも約2.2％大きい。
ソース：iopscience
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