2020-03-17
2020-03-09
ハイライト
•gasb p-i-nダイオードは界面ミスフィット（imf）アレイを使用してSiおよびGa上で成長させた。
透過電子顕微鏡画像は、90°のミスフィット転位のアレイを明らかにした。
•mathmlの発生源がそれぞれのケースで見いだされた視野の貫通転位密度。
•暗電流が低く、量子効率が高いことは、ガウス成長のために見られた。
抽象
gasb p-i-nフォトダイオードは、界面ミスフィットアレイを用いて、および天然ガスに対して、gaおよびsi上で成長させた。高分解能透過型電子顕微鏡画像は、原子模型と一致した界面原子周期性を示した。両方の試料について、mathml源の表面欠陥密度を測定した。原子間力顕微鏡検査では、ネイティブガスブ上で成長させた試料の0.5nmと比較して、約1.6nmの表面粗さが明らかになった。暗電流およびスペクトル応答測定を用いて、3つのサンプルの電気的および光電子的特性を調べた。
キーワード
a1原子間力顕微鏡; a1欠陥; a1高分解能X線回折; a1インターフェース; a3分子線エピタキシー; b1アンチモニド
ソース：sciencedirect
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