2020-03-17
2020-03-09
ハイライト
•ショットキーおよびオーミックのドレイン電極を備えたhv algan / gan-on-siヘムを製作しました。
•製造されたデバイスの電気的パラメータに対する温度の影響を調べます。
•ショットキ・ドレイン・コンタクトを使用すると、降伏電圧が505から900Vに上昇します。
• sd-hemtsは、温度が上昇するにつれてロンの増加が低いことを特徴とする。
抽象
この研究では、シリコン基板上にオーミック電極とショットキードレイン電極を備えた高電圧algan / gan高電子移動度トランジスタの電気的パラメータ特性の結果を示します。ショットキー・ドレインコンタクトの使用は、オーミック - ドレインコンタクトのvbr = 505vとは対照的に、lgd =20μmの場合にvbr = 900vであるブレークダウン電圧（vbr）を改善する。両方のタイプのトランジスタは、500mA / mmのドレイン電流密度と10μa/ mmのリーク電流を示す。温度依存特性は、温度が上昇するにつれてドレイン電流密度が減少することを示している。ショットキー・ドレイン・ヘムツは、室温に対するオーム・ドレイン接点（200℃でのΔron= 340％）と比較して、オン抵抗の減少によるロンの増加（200℃でのΔron= 250％ショットキドレインドレインの設定電圧。
キーワード
algan / gan-on-silicon;パワーデバイス;ヘム;ショットキードレイン
ソース：sciencedirect
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