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絶縁基板上のパターニングされたシリコン上に製造されたフリースタンディングGaNスラブ

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絶縁基板上のパターニングされたシリコン上に製造されたフリースタンディングGaNスラブ

2018-11-09

我々は、 GaN パターニングされたシリコン・オン・インシュレータ(SOI) 基質 すなわち、GaNオンパターン化SOI技術である。選択成長は低温分子線エピタキシ(MBE)成長で抑制され、 GaN このようにして、ナノコラムは、 シリコン基板 酸化ケイ素基板とを含む。ザ GaN シリコン酸化物基板上に成長したスラブは、バルクシリコンマイクロマシニングとバッファードHFエッチングとの関連によって空間に完全に浮遊している。フォトルミネッセンスおよび反射の結果は、放出された光のシリコン吸収がフリースタンディング GaN スラブの反射損失は、 GaN ナノカラム表面。この研究は、SOI技術と GaN 新しい光学デバイスを製造するためのものである。



ソース:iopscience

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