2020-03-17
2020-03-09
転位密度を低減させるために、3次元（3D）および2次元（2D）成長モードを用いて核形成および横方向成長を制御する方法がある。我々は、3D-2D-AlN成長を 6H-SiC基板 低圧水素化物気相エピタキシー（LP-HVPE）により高品質でクラックのないAlN層を得ることができる。まず、3D-AlN成長を 6H-SiC基板 。 V / III比が増加すると、AlNアイランド密度は減少し、粒度は増加した。第2に、3D-2D-AlN層を直接 6H-SiC基板 。 3D-AlNのV / III比が増加すると、3D-2D-AlN層の結晶品質が改善された。第3に、本発明者らは、トレンチパターン形成された6H- SiC基板 。亀裂密度は、ボイドによる応力緩和のために減少した。溶融KOH / NaOHエッチングを用いて貫通転位密度を評価した。その結果、3D-2D-AlNサンプルの推定刃状転位密度は3.9×108cm-2であった。
ソース：iopscience
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