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ガー・ヘム・エピ・ウェーハ

2017-08-05

我々は、4 \"ガーhemt epiウェーハを提供することができます、下記の典型的な構造を参照してください:


1)[100]方位の4 \"Si基板ガス、

2)厚さのある/ gaaとしてのal(0.3)ga(0.7)の[バッファ]超格子 10/3 nm、繰り返し170回、

3)400nmのバリアal(0.3)ga(0.7)

4)量子井戸20nm、

5)15nmのスペーサーal(0.3)ga(0.7)

6)電子密度を生成するためのSiによるデルタドーピング5-6 * 10 ^ 11cm ^( - 2)、

7)180nmのbarrier al(0.3)ga(0.7)

8)キャップ層の厚さは15nmである。


ソース:semiconductorwafers.net


詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください: http://www.semiconductorwafers.net

私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@gmail.com


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