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ガリウム半導体ウェハ

2017-12-22

ガリウム半導体ウェハ

ガースウェーハ基板 - ヒ化ガリウムwww.semiconductorwafers.netwww.semiconductorwafers.net
材料 オリエンテーション。 直径 厚さ 研磨 抵抗率 型ドーパント NC 移動性 epd
個数 (mm) (μm) Ω・cm   a / cm3 cm 2 /対 / cm 2
1-100 ガウス 100 25.4 4000±50 DSP > 1e7 未払い 該当なし 該当なし \u003c1e5
1-100 ガウス 100 50.7 350-370 ssp > 1e7 未払い 該当なし > 3500 \u003c10000
1-100 ガウス (100)(011)に向かって2°±0.50オフ 50.7 350±10 ssp (0.8-9)e -3 n / si (8)e17 2000-3000 \u003c5000
1-100 ガウス (100)(011)に向かって6°±0.50オフ 50.7 350±20 ssp (0.8-9)×10 -3 n / si (0.2-4)e18 1000以上 ≤5000
1-100 ガウス 100 50.8 350 ssp 該当なし p / zn (1-5)e19 該当なし \u003c5000
1-100 ガウス 100 50.8 5000±50 ssp > 1e8 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス 100 50.8 4000±50 ssp > 1e7 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス 100 50.8 8000±10 カットとして > 1e7 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス 100 50.8 8000±10 DSP > 1e7 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス (100)2° 50.8 3000 ssp > 1e7 n / si 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス 100 50.8 350±25 ssp > 1e7 該当なし (1-5)e19 該当なし 該当なし
1-100 ガウス 100 50.8 350±25 ssp 該当なし 該当なし (0.4~3.5)e18 1400 ≤100
1-100 ガウス (100)0°または2° 76.2 130±20 DSP 該当なし 未払い 該当なし 該当なし \u003c10000
1-100 ガウス (100)2°±0.50 76.2 350±25 ssp 該当なし n / si (0.4-2.5)e18 該当なし ≤5000
1-100 ガウス 100 76.2 350±25 ssp 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス 100 76.2 350±25 ssp > 1e7 未払い 該当なし 該当なし ≤8e4または1e4
1-100 ガウス 100 76.2 625±25 DSP > 1e7 未払い 該当なし ≧4500 ≤8e4または1e4
1-100 ガウス (100)に向かって2°±0.10オフ(110) 76.2 500 ssp > 1e7 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス (100)2° 100 625 DSP > 1e7 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス (100)2° 100 625±25 DSP 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス (100)(011)に向かって2°±0.50オフ 100 350±25 ssp 該当なし n / si (0.4~3.5)e18 該当なし ≤5000
1-100 ガウス (100)に向かって2°±0.10オフ(110) 100 625±25 DSP (1-4)e18 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス (100)(011)に向かって2°±0.50オフ 100 625±25 DSP (1.0-4.0)1e8 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス (100)(011)に向かって2°±0.50オフ 100 625±25 DSP (1-4)e8 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス (100)(011)に向かって2°±0.50オフ 100 350±25 ssp 該当なし n / si (0.4~4)e18 該当なし ≤5000
1-100 ガウス (100)(011)に向かって15°±0.50オフ 100 350±25 ssp 該当なし n / si (0.4~4)e18 該当なし ≤5000
1-100 ガウス (100)2°±0.50 100 350±25 DSP 該当なし n / si (0.4~4)e18 該当なし ≤5000
1-100 ガウス (100)2°±0.50 100 625±25 ssp (1-4)e18 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス (100)2°±0.50 150 675±25 DSP > 1e7 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス (100)0°±3.0° 150 675±25 DSP 1.0×107 未払い 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガウス 310 50.8 / 76.2 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし

ガウスウェーハのサプライヤとして、貴社の参照用にガウス半導体リストを提供しています。価格の詳細が必要な場合は、セールスチームにお問い合わせください

注意:

***メーカーとして、我々はまた、研究者または鋳造所のための少量を受け入れる。

***配達時間:在庫に依存しますが、在庫があれば、すぐに出荷することができます。***私たちはmbeとmocvdによるgaasエピタキシーサービスを提供しています。


ガスボンベ基板 - ガリウムアンチモン化物
材料 オリエンテーション。 直径 厚さ 研磨 抵抗率 型ドーパント NC 移動性 epd
個数 (mm) (μm) Ω・cm   a / cm3 cm 2 /対 / cm 2
1-100 ガス (100)±0.5 50.8 500±25 ssp 該当なし 1e17 - 5e18 該当なし < 1000
1-100 ガス (111)a±0.5 50.8 500±25 ssp 該当なし 1e17 - 5e18 該当なし < 1000
1-100 ガス (111)b 50.8 該当なし 該当なし 該当なし (5-8)e17 該当なし 該当なし
1-100 ガス (111)b 50.8 該当なし 該当なし 該当なし 未払い なし 該当なし 該当なし
1-100 ガス (100)±0.5 50.8 500 ssp 該当なし p / (1-5)e17cm-3 該当なし 該当なし
1-100 ガス (100)±0.5 50.8 500 ssp 該当なし n / (1-5)e17cm-3 該当なし 該当なし
1-100 ガス (100)±0.5 50.8 500 ssp 該当なし n / te (1-8)e17 /(2-7)e16 該当なし < 1000
1-100 ガス 100 50.8 450±25 ssp 該当なし 該当なし (1-1.2)e17 該当なし 該当なし
1-100 ガス 100 50.8 350±25 ssp 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガス 100 76.8 500〜600 該当なし 該当なし 未払い なし 該当なし 該当なし
1-100 ガス 100 100 800±25 DSP 該当なし p / zn 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ガス 100 100 250±25 該当なし 該当なし p / zno 該当なし 該当なし 該当なし

あなたが価格の詳細が必要な場合は、ガスのウェーハのサプライヤとして、我々はあなたの参照のためのgasb半導体リストを提供しています、私たちの営業チームに連絡してください


注意:

***メーカーとして、我々はまた、研究者または鋳造所のための少量を受け入れる。

***配達時間:在庫に依存しますが、在庫があれば、すぐに出荷することができます。


ギャップウェハ基板 - ガリウムポジド
材料 オリエンテーション。 直径 厚さ 研磨 抵抗率 型ドーパント NC 移動性 epd
個数 (mm) (μm) Ω・cm   a / cm3 cm 2 /対 / cm 2
1-100 ギャップ 111 50 5000±20 ssp 該当なし n 該当なし 該当なし 該当なし
1-100 ギャップ (111)±0.5° 50±0.5 300±20 該当なし 該当なし s (2〜7)×1e17 ≧100 \u003c3×1e5
1-100 ギャップ (111)±0.5° 50±0.5 300±20 該当なし 該当なし (1〜2)×1e17 ≧100 \u003c3×1e5

ギャップウェーハのサプライヤとして、あなたの参照用のギャップ半導体リストを提供しています。価格の詳細が必要な場合は、セールスチームにお問い合わせください


注意:

***メーカーとして、我々はまた、研究者または鋳造所のための少量を受け入れる。

***配達時間:在庫に依存しますが、在庫があれば、すぐに出荷することができます。





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