2020-03-17
2020-03-09
1200 nm帯のGaAs基板上に高出力の広領域インガナ/ガーダ量子井戸（qw）端面発光レーザが報告されている。インガナ/ガー・qwレーザ・ウェーハのエピタキシャル層を、有機金属化学気相成長法（mocvd）を用いてn + GaAs基板上に成長させた。インガナ/ガーqw層の厚さは70Å/1200Åである。 inxga1-xnyas1-y qw層のインジウム含有量（x）は0.35-0.36と推定され、窒素含有量（y）は0.006-0.009と推定される。インガナqw層のより多くのインジウム含有量（in）および窒素含有量（n）は、1300nmまでのレーザ放射を可能にする。エピタキシャル層の品質は、成長した層の歪によって制限される。 5〜50μmの異なるリッジ幅でデバイスを作製した。 50μm×500μmのldについて、80a / cm 2の非常に低い閾値電流密度（jth）が得られている。多くのインガナ/ガウス・エピウエハが広範囲に形成された。幅広い範囲のinganas / gaas qw ldsについて最大出力95mWが測定された。広域ldsの出力パワーの変動は、主に歪み誘発欠陥のために発生する。
ソース：sciencedirect
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