2020-03-17
2020-03-09
本研究では、異なる波長での光ビーム誘起電流（lbic）マッピング技術および深いレベル過渡分光法（dlts）により、シリコンウェーハを成長させたフロートゾーン（fz）において転位アレイを調べる。 lbic技術は、これらのアレイを認識し検出し、それらの再結合強度を評価することができるようである。転位されたウェーハでは、リンの拡散は、処理の持続時間および温度に依存して、転位の重力コントラストを強く減衰させる。まだ物理的に存在する欠陥の室温での電気的活動は消滅しているようである。同時に、転位に関連するdltsスペクトルのピーク強度は減少し、この進化はリンの拡散温度および持続時間に依存する。
キーワード
フロートゾーン。再結合強度;シリコンウェーハ
ソース：sciencedirect
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