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低い暗電流と高応答の2インチInPウェハ上に作製された高均一導波路フォトダイオード

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低い暗電流と高応答の2インチInPウェハ上に作製された高均一導波路フォトダイオード

2018-12-04

我々は、均一な特性を有する導波路型フォトダイオードを 2インチInPウェハ 新規プロセスの導入。ザ 2インチウェハ ウェーハの反りを補償するために、ウェーハの裏面にSiNx堆積を利用することにより、製造手順がうまく実行された。ほとんどの測定導波路型フォトダイオードは、2インチウエハ全体で暗電流(平均419pA、逆バイアス電圧10Vでσ= 49pA)が低く、0.987A / W(σ= 0.011A / W)という高い応答性が得られました1.3μmの入力波長で連続した60チャネルのアレイで測定した。また、周波数応答の均一性も確認された。


ソース:iopscience


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