2020-03-17
2020-03-09
ガリウムインジウム砒素とも呼ばれるインジウムガリウム砒素（ingaas）は、インジウム、ガリウム、およびヒ素の3つの化学元素の化合物のファミリーの共通名です。インジウムおよびガリウムは両方ともホウ素グループ元素であり、しばしば「グループiii」と呼ばれ、ヒ素はニックネームまたは「グループv」元素である。半導体物理学において、これらの群の元素の化合物は、しばしば「III-V」化合物と呼ばれる。彼らは同じグループに属しているので、インジウムとガリウムは化学結合で同様の役割を果たし、インガはガリウム砒素と砒化インジウムの合金と見なされ、その性質は2つの中間にあり、インジウムに対するガリウムの割合。典型的な条件下では、インナは半導体であり、それは光電子技術において特に重要であり、その理由から幅広く研究されている。
現在我々は次のように新しい2 \"インガサ構造ウエハを提供することができます：
構造1：
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inp（非ドープ）（4〜5nm） |
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in0.53ga0.47as（軽くp型） （20nm） |
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inp（アンドープ）（30nm） |
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in0.52al0.48as（軽くp型） （100〜200nm） |
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2インチinpサブ。 （非ドープまたはp型） |
構造2：
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n ++ ingaas（〜30 nm）（5 × 1019 cm-3、より高い方が良い） |
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inp（ドープされていない）（約3nm） |
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in0.53ga0.47as（アンドープ）（10nm） |
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in0.52al0.48as（非ドープ）（100~200nm） |
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2インチinp |
構造3
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n ++ ingaas（〜30 nm）（5 × 1019 cm-3、より高い方が良い） |
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inp（ドープなし）（3〜5nm） |
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in0.7ga0.3as（ドープされていない）（3nm） |
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inas（アンドープ）（2nm） |
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in0.53ga0.47as（ドープされていない）（5nm） |
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in0.52al0.48as（ドープされていない）（200nm） |
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si（ウェハサイズ：大きい方が良い） |
：構造体4：
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inp（非ドープ）（4〜5nm） |
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in0.53ga0.47as（軽くp型） （20nm） |
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in0.52al0.48as（ドープなし）（10nm） |
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必要なバッファ層 |
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シ |
：構造体5：
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n ++ ingaas（〜30 nm）（5 × 1019 cm-3、より高い方が良い） |
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inp（ドープされていない）（約3nm） |
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in0.53ga0.47as（アンドープ）（10nm） |
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in0.52al0.48as（ドープなし）（10nm） |
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バッファ層 |
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シ |
出典：pam-xiamen
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