リン化インジウム（inp）は、光学システムがデータセンター、モバイルバックホール、メトロおよび長距離アプリケーションに必要な性能を提供することを可能にする重要な半導体材料です。 inp上に作製されたレーザ、フォトダイオードおよび導波路は、効率的なファイバ通信を可能にするガラスファイバの最適透過窓で動作する。 pam-xiamen独自のエッチングされたファセット技術（eft）は、従来の半導体製造と同様にウェーハレベルのテストを可能にします。 eftは高収率、高性能、信頼性の高いレーザーを可能にします。

1）2インチのウェハー

配向：±0.5°

タイプ/ドーパント：n / s; n / un-doped

厚さ：350±25mm

モビリティ：\u003e 1700

キャリア濃度：（2〜10）e17

epd：\u003c50000cm ^ -2

磨かれた：ssp

2）1インチ、2インチinpウェハ

配向：±0.5°

タイプ/ドーパント：n /ドープされていない

厚さ：350±25mm

モビリティ：\u003e 1700

キャリア濃度：（2〜10）e17

epd：\u003c50000cm ^ -2

磨かれた：ssp

3）1インチ、2インチinpウェハ

配向：±0.5°

タイプ/ドーパント：n / s; n / un-doped

厚さ：350±25mm

磨かれた：ssp

4）2 \"inpウェハ

配向：b±0.5°

タイプ/ドーパント：n / te; n /アンドープ

厚さ：400±25mm; 500±25mm

磨かれた：ssp

5）2 \"inpウェハ

配向：（110）±0.5°

タイプ/ドーパント：p / zn; n / s

厚さ：400±25mm

ポリッシュ：ssp / dsp

6）2 \"inpウェハ

配向：（211）b;（311）b

タイプ/ドーパント：n / te

厚さ：400±25mm

ポリッシュ：ssp / dsp

7）2インチinpウェハ

配向：（100）2°オフ+/- 0.1°t.n. （110）

タイプ/ドーパント：si / fe

厚さ：500±20mm

磨かれた：ssp

8）2インチサイズのIna / InPエピタキシャルウェーハを使用しており、カスタム仕様を受け入れています。

基板：（100）inp基板

エピ層1：in0.53ga0.47as層、undoped、厚さ200nm

エピ層2：in0.52al0.48as層、undoped、厚さ500nm

エピ層3：in0.53ga0.47as層、undoped、厚さ1000nm

上層：in0.52al0.48as層、undoped、厚さ50nm

xiamen powerway advanced material co。、ltd（pam-xiamen）は、業界で最も純度の高いingaas / inpエピタキシャルウェーハを提供しています。高速、長波長イメージング、高速hbtおよびhemts、apdsおよびアナログ - デジタル変換に理想的な1.7〜2.6μmの波長で最高4インチまでの高品質インジウム・リン・エピタキシャル・ウェーハをカスタマイズして製造するための高度な製造プロセスが導入されています。デジタル変換回路。 inaベースのコンポーネントを使用するアプリケーションは、gaaまたはsigeベースのプラットフォームで構成された同様のコンポーネントと比較して、伝送速度を大幅に超える可能性があります。

相対的な製品：

inasウェハ

インベストウェーハ

inpウェハ

ガウスウェーハ

ガスウエハー

ギャップウェーハ

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