xiamen powerway advanced material co。、ltd。、lt-gaasおよび他の関連製品およびサービスの大手サプライヤーは、2017年に大量生産されているサイズ2 \"-3\"の新しいアベイラビリティを発表しました。この新製品は、 -xiamenの製品ライン。

ドクター。シャカ氏は、「レーザデバイスの信頼性と信頼性を向上させている多くの企業を含め、顧客にlt-gaas epi層を提供できることを嬉しく思っています。我々のlt-gaas epi層は優れた特性を有し、低温ガス（lt-gaas）層を有するガー・フィルムは、分子線エピタキシー（mbe）法によって[110]に向かって6°オフに配向した隣接Si基板上に成長させた。成長した構造は、lt-gaas層の厚さとその膜内の配列とで異なっていた。調査o f x線回折（xrd）および透過型電子顕微鏡（tem）の方法により、成長した構造の結晶性を調べた。 「ブールの成長とウェーハプロセスを改善してくれます」と述べています。私たちのガウス・エピ層は、現在進行中の努力の成果であり、現在はより信頼性の高い製品を継続的に開発することに専念しています。

pam-xiamenの改良されたltgaの製品ラインは、強力な技術の恩恵を受けています。ネイティブの大学と研究室のセンターからのサポート。

次の例を示します。

2 \"lt-gaasウェーハ仕様

直径（mm）Ф50.8mm±1mm

厚さ1-2um

マルコ欠陥密度≦5cm-2

比抵抗（300k）\u003e 10 ^ 8オーム-cm

キャリア寿命\u003c15psまたは\u003c1ps

転位密度\u003c1×10 -6 cm -2

使用可能な表面積≧80％

研磨：片面研磨

基板：ガス基板

厦門電力会社先進材料有限会社について

xiamen powerway advanced material co。、ltd（pam-xiamen）は、1990年に発見され、中国の化合物半導体材料の大手メーカーです。 pam-xiamenは、高度な結晶成長とエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板、半導体デバイスを開発しています。 pam-xiamenの技術は、半導体ウェハの高性能化と低コスト化を可能にします。

約1ガウス

低温ガスは文献から知られており[13,14]、高温ガスの格子定数より大きな格子定数を有する。これは、低温でのように過剰の吸着に起因する。格子パラメータの違いによるlt-gaas / gaasの界面に応力が存在する。蓄積された応力を低減するために、界面に存在するミスフィット転位の存在が必要とされる。このようなミスフィット転位の形成に対する最も有益な方法は、既存の貫通転位、いわゆる活性化のないプロセスを曲げることである。 （図2（b））の界面に沿って転位が部分的に屈曲しており、アニーリングなしのサンプルでは転位が部分的に屈曲していることが分かる界面での伝搬方向を変える（図4（a））。しかし、170nmおよび200nmのガウス層を有するサンプルでは、​​そのような特徴がはるかに少ない頻度で観察される（図2（f）および4（b））。従って、ガウス層の厚さが増加すると、ガリウムの界面における応力が増加し、転位がより効果的に曲がる。さらに、gaas / si（001）膜中のlt-gaas層の位置が貫通転位の密度を変化させるのに重要な役割を果たしていないことに注目する価値がある。

lta-gaas層とgaa層を用いたgaa膜の結晶完全性は同等であった。 lta-gaas層を含むgaas / si構造では、その方向に沿った結晶格子回転が検出された。 lt-gaas / si層では、転位なしのlt-gaas / gaas系で起こるので、ヒ素クラスターが形成されることが見出された。主に転位に大きなクラスターが形成されていることが示されている。それは、転位がasの原子のための種類の「チャネル」であることを意味します。 δ-inを使用して、クラスタとして順序付けられた配列を得ることができた。クラスタ配列は、貫通転位の密度および伝播経路に影響を与えないことが判明した。したがって、転位は、クラスターとしての位置および大きさに影響し、クラスターは、スレッディング転位システムの進展に影響を与えない。 ltgas層の厚さが増すにつれて、GaAs / GaAsの界面における応力は増加し、転位はより曲がっている。

q＆a

q：構造はどうですか？ガウス基板上に成長したlt-gaas層であるか？

a：はい、構造はgaas / lt-gaasです。

q：lt-gaasが対応するバンドは何ですか？

a：800nm（藻類）

q：キャリアの寿命は何ですか？

a：寿命\u003c15psまたは\u003c1ps

q：ガウスウェーハ上のltgaをあなたより購入しました。 1年前。私たちはあなたのガウスの品質が好きですが、私たちの実験では、ガウスを他の基板（石英など）に移す必要があります。レイヤー転送はガウスですか？

a：私が確認できるように、構造と層の厚さを教えてください。

q：私たちが望むのは、（上から下に）ガー基板/悲しい（300nm）/ガウス（1-2um）だと思います。

a：はい、alas300nmでこの構造を成長させることができます。

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、

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