2020-03-17
2020-03-09
ハイライト
・コロイド状シリカおよびセリア系スラリーの6時間基材のcmpでの性能を評価した。
•シリカとセリアを基にしたスラリーの間に6h-sicのcmp性能に有意差があった。
•セリアベースのスラリーでは、特に強酸性のkmno4環境でより高いmrrが得られました。
・シリカおよびセリアに基づくスラリーの最大mrrはそれぞれ185nm / hおよび1089nm / hであった。
酸化物としてkmno4を用いたコロイダルシリカとセリア系スラリーを用いて、Si表面（0 0 0 1）6h基体のケミカルメカニカルポリッシング（cmp）を調べ、より高い材料除去速度（mrr）滑らかな表面。この結果は、シリカとセリアを基にしたスラリーの間の6h-sicのcmp性能に有意差があることを示している。セリアベースのスラリーでは、特に強酸性のkmno4環境でより高いmrrが得られ、2重量％のコロイドを含むスラリーを使用して、最大粗さ（nmrr）（1089nm / h）および平均粗さRaが0.11nmのより滑らかな表面が得られた対照的に、負帯電シリカ粒子とph 5未満の正帯電表面との間の引力のため、シリカ系スラリーの最大mrrは185nm / hであり、表面粗さRaは0.254nmであった研磨剤のゼータ電位測定および研磨された表面のX線光電子分光法（xps）分析に基づいて、研磨メカニズムを議論した。研磨メカニズムは、6wt％のコロイド状シリカを含むスラリーを使用して、
グラフィカルな抽象
シリカとセリアを基にしたスラリーの間に6h-sicのcmp性能に有意差があった。セリア系スラリーの場合、
彼女のMRRは、特に強酸性のkmno4環境で得られた。
キーワード
化学機械 研磨（cmp）;炭化ケイ素（sic）;シリカ;セリア
ソース：sciencedirect
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