2020-03-17
2020-03-09
フラットを実現するための最適生育条件を探索 InP上のBiTe層 ホットウォールエピタキシーによる（111）B基板は比較的小さい格子不整合を提供し、従って（０００１）配向層は半コヒーレントに成長する。成長のための温度ウィンドウは、非ゼロ格子不整合およびＢｉＴｅの急速な再蒸発のために狭いことがわかった。 Ｘ線回折によって評価された結晶品質は、基板温度が最適温度から低温だけでなく高温にも逸脱すると劣化を明らかにする。
基板温度が高い場合、Ｔｅが昇華によって部分的に失われるにつれて、Ｂｉ組成が増加する。さらに、我々は、さらに高い温度でのＢｉＴｅフラックスの露出が、おそらく基板からのＩｎ原子によるＢｉ置換のために基板の異方性エッチングをもたらすことを示す。 ＩｎＰ（００１）上にＢｉＴｅ層を成長させることにより、基板表面上の結合異方性が面内エピタキシャル配向対称性の低下をもたらすことを実証する。
ソース：iopscience
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