2020-03-17
2020-03-09
我々が提供するもの：
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結晶構造 |
タイプ |
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n型 |
半絶縁性 |
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6h-sicウルツ鉱（六方晶系） |
はい |
はい |
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4h-sicウルツ鉱（六方晶系） |
はい |
はい |
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3c-閃亜鉛閃光（立方晶） |
＆emsp; |
＆emsp; |
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エピepiウェーハ |
はい |
はい |
シリコンウェーハ
刻み目が切られ、研磨されると、ウエハーが来る。仕様および詳細については、次のをご覧ください。 シリコンウェーハの仕様
結晶成長
バルク結晶成長は、単結晶基板の製造技術であり、さらなるデバイス処理のための基盤を作り上げている。明らかに、我々は再現可能なプロセスを用いて基板を製造する必要があることは明らかである.6時間および4時間結晶は、 2100〜2500℃の高温での黒鉛るつぼ。るつぼ内の動作温度は、誘導（rf）または抵抗加熱のいずれかによって提供される。成長は薄いシードの種子上で起こる。ソースは、多結晶性の粉末充填物を表す。成長チャンバ内の蒸気は、主として、キャリアガス、例えばアルゴンで希釈された3つの種、すなわち、si、si2cおよびsic2からなる。理論源の進化には、気孔率の時間変化と顆粒径と粉末顆粒の黒鉛化の両方が含まれる。
エピepiウェーハ
結晶構造
ポリタイプと呼ばれる多くの異なる結晶構造を持っています。エレクトロニクスのために現在開発されている最も一般的なポリタイプは、立方体3c-sic、六角形4h-sicおよび6h-sic、菱面体晶15r-sicです。これらのポリタイプは、構造の生体分子層の積み重ね順序によって特徴付けられます。詳細については、をクリックしてください。 結晶構造
単結晶物性
ここでは、六角形、立方体、単結晶構造を含む炭化ケイ素の特性を比較します。詳細については、をクリックしてください： sicプロパティ
ic 結晶欠陥
sicで観察された欠陥のほとんどは、他の結晶材料でも観察された。転位、積み重ね欠陥（sfs）、低い角度境界（ラボ）および双子のようなものである。他のいくつかは、idbのように、zing-ブレンドまたはウルツ鉱構造を有する材料に現れる。他の相からのマイクロパイプおよび介在物は、主にSICに現れる。
結晶応用
多くの研究者は一般的なアプリケーションを知っています：III-V窒化物堆積、光電子デバイス、高出力デバイス、高温デバイス、高周波電力デバイスですが、詳細なアプリケーションを知っている人はほとんどいません。 ： 炭化ケイ素の詳細な応用
連絡先
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