2020-03-17
2020-03-09
ポアソン方程式に基づく物理的解析モデルのベースで、ドリフト拡散および連続方程式は、 6h-sic そして 4h-sic niおよびtiショットキー接触を有するn型ショットキーダイオードがシミュレートされている。古典的な熱電子放出理論の観点から電流 - 電圧特性の解析の基礎に示されている。ショットキーダイオードの提案されたシミュレーションモデルは理想係数nが1.1に近いほぼ理想的なダイオードに対応することが示されている。このため、有効ショットキー障壁高さphivbは、それぞれni / 6hおよびti / 4h炭化ケイ素ショットキーダイオードタイプに対して1.57evおよび1.17evに等しいことが決定される。
ソース：iopscience
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