2020-03-17
2020-03-09
III-V窒化物膜堆積のための基板
結晶
構造
m.p.
密度
ganとの格子不一致
熱膨張
成長技術。 &最大サイズ
標準基板サイズ(mm)
o c
g / cm 3
(10 -6 / k)
ic
(例として6h)
六角
〜2700
3.21
3.5%atori。
10.3
cvd
Ø2 \"×0.3、Ø3\"×0.3
a =3.073Å
 
 
20x20x0.3,15x15x0.3
c =15.117Å
 
Ø3 \"
10x10x0.3,5x5x0.3
 
subl。
 
1面エポリッシュ
アル 2 o 3
六角
2030年
3.97
14%atori。
7.5
cz
Ø50×0.33
a =4.758Å
 
Ø25×0.50
c =12.99Å
Ø2 \"
10x10x0.5
 
 
1または2面研磨
ラリアー 2
正方晶系
1900年〜
2.62
1.4%atori。
/
cz
10x10x0.5
a =5.17Å
Ø20mm
1または2面研磨
c =6.26Å
 
 
リガオ 2
オーソラ
1600
4.18
0.2%atori。
/
cz
10x10x0.5
a =5.406Å
Ø20mm
1または2面研磨
b =5.012Å
 
 
c =6.379Å
 
 
mgo
キュービック
2852
3.58
3%atori。
12.8
フラックス
2 \"x2\" x 0.5 mm、Ø2 \"x 0.5 mm
a =4.216Å
 
1 \"x1\" x 0.5 mm、Ø1 \"x 0.5 mm
 
Ø2 \"
10×10×0.5mm
1または2面研磨
mgal 2 o 4
キュービック
2130
3.6
9%atori。
7.45
cz
Ø2 \"×0.5
a =8.083Å
Ø2 \"
10x10x0.5
 
 
1または2面研磨
ゼノ
ヘキサグ。
1975
5.605
2.2%atori。
2.9
水熱
20x20x0.5
a =3.325Å
20mm
1または2面研磨
c =5.213Å
 
 
ガン
六角
 
6.15
 
5.59
 
10x10x0.475mm
 
 
5x5x0.475mm