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III-V窒化物膜堆積のための基板

2018-02-27

III-V窒化物膜堆積のための基板

結晶

構造

m.p.

密度

ganとの格子不一致

熱膨張

成長技術。 &最大サイズ

標準基板サイズ(mm)

o c

g / cm 3

(10 -6 / k)

ic

(例として6h)

六角

〜2700

3.21

3.5%atori。

10.3

cvd

Ø2 \"×0.3、Ø3\"×0.3

a =3.073Å

 

 

20x20x0.3,15x15x0.3

c =15.117Å

 

Ø3 \"

10x10x0.3,5x5x0.3

 

subl。

 

1面エポリッシュ

アル 2 o 3

六角

2030年

3.97

14%atori。

7.5

cz

Ø50×0.33

a =4.758Å

 

Ø25×0.50

c =12.99Å

Ø2 \"

10x10x0.5

 

 

1または2面研磨

ラリアー 2

正方晶系

1900年〜

2.62

1.4%atori。

/

cz

10x10x0.5

a =5.17Å

Ø20mm

1または2面研磨

c =6.26Å

 

 

リガオ 2

オーソラ

1600

4.18

0.2%atori。

/

cz

10x10x0.5

a =5.406Å

Ø20mm

1または2面研磨

b =5.012Å

 

 

c =6.379Å

 

 

mgo

キュービック

2852

3.58

3%atori。

12.8

フラックス

2 \"x2\" x 0.5 mm、Ø2 \"x 0.5 mm

a =4.216Å

 

1 \"x1\" x 0.5 mm、Ø1 \"x 0.5 mm

 

Ø2 \"

10×10×0.5mm

1または2面研磨

mgal 2 o 4

キュービック

2130

3.6

9%atori。

7.45

cz

Ø2 \"×0.5

a =8.083Å

Ø2 \"

10x10x0.5

 

 

1または2面研磨

ゼノ

ヘキサグ。

1975

5.605

2.2%atori。

2.9

水熱

20x20x0.5

a =3.325Å

20mm

1または2面研磨

c =5.213Å

 

 

ガン

六角

 

6.15

 

5.59

 

10x10x0.475mm

 

 

5x5x0.475mm









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