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2-2。ウェハの厚さ、中心点

2.炭化ケイ素ウエハの寸法特性、用語および方法の定義

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2-2。ウェハの厚さ、中心点

2018-01-08

単結晶半導体のインゴットから切り出された単結晶半導体材料の円形スライス（厚さはウエハの直径に依存するが、典型的には1mm未満である）、半導体デバイスおよび集積回路の製造に使用される。ウェハの直径は、5mm〜300mmの範囲であり得る。


個々のウェーハの中心に安心して認証された非接触ツールで測定されます。

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